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A relativistic UGKS for stimulated Raman scattering in two dimension
期刊论文
COMPUTERS & FLUIDS, 2022, 卷号: 235
作者:
Wang, Yi
;
Ni, Guoxi
;
Xu, Xiao
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浏览/下载:1/0
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提交时间:2022/12/23
Vlasov-Maxwell system
Coulomb collisions
Relativistic UGKS
Stimulated Raman scattering
Measurement of proton-proton elastic scattering into the Coulomb region at P-beam=2.5, 2.8 and 3.2 GeV/c
期刊论文
PHYSICS LETTERS B, 2021, 卷号: 812, 页码: 6
作者:
Xu, H.
;
Zhou, Y.
;
Bechstedt, U.
;
Boeker, J.
;
Gillitzer, A.
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2021/12/10
Proton-proton elastic scattering
Coulomb-nuclear interference
Total cross section
Elastic electron scattering off nuclei with shape coexistence
期刊论文
JOURNAL OF PHYSICS G-NUCLEAR AND PARTICLE PHYSICS, 2019, 卷号: 46, 期号: 5
作者:
Liu, Jian
;
Xu, Renli
;
Zhang, Jinjuan
;
Xu, Chang
;
Ren, Zhongzhou
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2019/12/11
shape coexistence
electron scattering
Coulomb form factor
A new method to determine the 2DEG density distribution for passivated AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors
期刊论文
SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, 2018, 卷号: 113, 页码: 160-168
作者:
Fu, Chen
;
Lin, Zhaojun
;
Cui, Peng
;
Lv, Yuanjie
;
Zhou, Yang
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2019/12/11
AIGaN/AIN/GaN HFETs
2DEG density distribution
Passivation
Polarization Coulomb field scattering
Influence of polarization Coulomb field scattering on high-temperature electron mobility in AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors
期刊论文
SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, 2018, 卷号: 120, 页码: 389-394
作者:
Liu, Yan
;
Lin, Zhaojun
;
Cui, Peng
;
Fu, Chen
;
Lv, Yuanjie
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2019/12/11
AlGaN/AlN/GaN HFET
High-temperature electron mobility
Polarization
Coulomb field scattering
Determination of the polarization and strain distribution in AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors
期刊论文
JOURNAL OF PHYSICS AND CHEMISTRY OF SOLIDS, 2018, 卷号: 123, 页码: 223-227
作者:
Yang, Ming
;
Lv, Yuanjie
;
Cui, Peng
;
Liu, Yan
;
Fu, Chen
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2019/12/11
AlGaN/GaN HFETs
Polarization and strain distribution
Polarization
coulomb field scattering
Influence of Different Gate Biases and Gate Lengths on Parasitic Source Access Resistance in AlGaN/GaN Heterostructure FETs
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2017, 卷号: 64, 期号: 3, 页码: 1038-1044
作者:
Cui, Peng
;
Liu, Huan
;
Lin, Wei
;
Lin, Zhaojun
;
Cheng, Aijie
收藏
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2019/12/11
AlGaN/GaNheterostructureFETs (HFETs)
gate bias
gate length
parasitic
source access resistance
polarization Coulomb field scattering
Parasitic source resistance at different temperatures for AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors
期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2017, 卷号: 26, 期号: 9
作者:
Liu, Yan
;
Lin, Zhao-Jun
;
Lv, Yuan-Jie
;
Cui, Peng
;
Fu, Chen
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2019/12/11
AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors (HFETs)
parasitic source resistance
polarization Coulomb field scattering
Enhanced effect of diffused Ohmic contact metal atoms for device scaling in AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors
期刊论文
SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, 2017, 卷号: 103, 页码: 113-120
作者:
Liu, Huan
;
Cheng, Aijie
;
Lin, Zhaojun
;
Cui, Peng
;
Liu, Yan
收藏
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2019/12/11
AIGaN/GaN HFETs
Diffused Ohmic contact metal atoms
Polarization
Coulomb field scattering
Determination of the strain distribution for the Si3N4 passivated AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors
期刊论文
SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, 2017, 卷号: 111, 页码: 806-815
作者:
Fu, Chen
;
Lin, Zhaojun
;
Liu, Yan
;
Cui, Peng
;
Lv, Yuanjie
收藏
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2019/12/11
AlGaN/AlN/GaN HFETs
Strain distribution
Passivation
Polarization
coulomb field scattering
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