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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Epitaxial growth of 3C–SiC on Si(111) and (001) by laser CVD 期刊论文 Journal of the American Ceramic Society, 2018, 卷号: 101, 期号: 9, 页码: 3850-3856 作者:  Zhu, Peipei;  Yang, Meijun;  Xu, Qingfang;  Sun, Qingyun;  Tu, Rong 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/04 3C–SiC  epitaxial growth  laser chemical vapor deposition  microstructure   High‐speed heteroepitaxial growth of 3C‐SiC (111) thick films on Si (110) by laser chemical vapor deposition 期刊论文 Journal of the American Ceramic Society, 2018, 卷号: 101, 期号: 3, 页码: 1048-1057 作者:  Sun, Qingyun;  Zhu, Peipei;  Xu, Qingfang;  Tu, Rong;  Zhang, Song* 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/04 3C‐SiC (111)  heteroepitaxial growth  laser CVD  orientation  Si (110)   HWCVD法在6H-SiC上异质外延3C-SiC 会议论文 第十六届全国半导体物理学术会议, 中国甘肃兰州, 2007-09-01 作者:  李青民;  陈治明;  林涛;  李连碧;  李佳 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/12/25 SiC  3C  CVD  TEM  SAED