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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Semiconductor material having si-doped gainp cap layer 专利 专利号: JP1992278522A, 申请日期: 1992-10-05, 公开日期: 1992-10-05 作者:  MAEDA SHIGEO;  TOYAMA OSAMU;  WATABE SHINICHI 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/31 Semiconductor element 专利 专利号: JP1992257276A, 申请日期: 1992-09-11, 公开日期: 1992-09-11 作者:  TADATOMO KAZUYUKI;  TOYAMA OSAMU 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2020/01/18 Mask for manufacturing process of semiconductor device 专利 专利号: JP1991094482A, 申请日期: 1991-04-19, 公开日期: 1991-04-19 作者:  TADATOMO KAZUYUKI;  TANIGUCHI KOICHI;  TOYAMA OSAMU;  IKUNISHI SHIYOUGO 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2019/12/31 Laser modulating circuit 专利 专利号: JP1985087440A, 申请日期: 1985-05-17, 公开日期: 1985-05-17 作者:  TOYAMA TAKEO;  OOTA OSAMU 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/12/31 Semiconductor material of light emitting element provided with distorted active layer 专利 专利号: JP1992369874A, 公开日期: 1992-12-22 作者:  TADATOMO KAZUYUKI;  WATABE SHINICHI;  MAEDA SHIGEO;  TOYAMA OSAMU 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/12/26