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Integrin beta 3/Akt signaling contributes to platelet-induced hemangioendothelioma growth 期刊论文
2017, 卷号: 7
作者:  Gu, Rui[1];  Sun, Xin[2,3];  Chi, Yijie[1];  Zhou, Qishuang[1];  Xiang, Hongkai[1]
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Texture Evolution and Grain Competition in NiGe Film on Ge(001) 期刊论文
applied physics express, 2013, 卷号: 6, 期号: 7, 页码: 075505
Huang, Wei; Tang, Mengrao; Wang, Chen; Li, Cheng; Li, Jun; Chen, Songyan; Xue, Chunlai; Lai, Hongkai
收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2014/04/04
N型掺杂应变Ge发光性质 期刊论文
物理学报, 2012, 期号: 3, 页码: 356-363
黄诗浩; 李成; 陈城钊; 郑元宇; 赖虹凯; 陈松岩
收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2013/02/22
Photoluminescence from heterogeneous sige/si nanostructures prepared via a two-step approach strategy 期刊论文
Journal of luminescence, 2009, 卷号: 129, 期号: 9, 页码: 1073-1077
作者:  Zhou, Bi;  Pan, Shuwan;  Chen, Songyan;  Li, Cheng;  Lai, Hongkai
收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2019/05/12
Room temperature photoluminescence of tensile-strained ge/si0.13ge0.87 quantum wells grown on silicon-based germanium virtual substrate 期刊论文
Applied physics letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 14, 页码: 3
作者:  Chen, Yanghua;  Li, Cheng;  Zhou, Zhiwen;  Lai, Hongkai;  Chen, Songyan
收藏  |  浏览/下载：56/0  |  提交时间：2019/05/12
一种锗量子点的制备方法 专利
专利号: CN101388324A, 申请日期: 2009-03-18, 公开日期: 2009-03-18
作者:  张永;  李成;  廖凌宏;  陈松岩;  赖虹凯
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Si_(0.75)Ge_(0.25)虚衬底上应变补偿Si/Si_(0.62)Ge_(0.38)量子阱发光 期刊论文
材料科学与工程学报, 2009, 卷号: 27, 期号: 1, 页码: 146-149
廖凌宏; 周志文; 李成; 陈松岩; 赖虹凯; 余金中; 王启明
收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2010/11/23
Photoluminescence from heterogeneous SiGe/Si nanostructures prepared via a two- step approach strategy 期刊论文
journal of luminescence, 2009, 期号: 129
Bi Zhou; Shuwan Pan; Songyan Chen; Cheng Li; Hongkai Lai; Jinzhong Yu; Xianfang Zhu
收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2010/03/08
Promoting strain relaxation of si0.72ge0.28 film on si (100) substrate by inserting a low-temperature ge islands layer in uhvcvd 期刊论文
Applied surface science, 2008, 卷号: 255, 期号: 5, 页码: 2660-2664
作者:  Zhou, Zhiwen;  Cai, Zhimeng;  Li, Cheng;  Lai, Hongkai;  Chen, Songyan
收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/05/12
Comment on "use of si(+) pre-ion-implantation on si substrate to enhance the strain relaxation of the ge(x)si(1-x) metamorphic buffer layer for the growth of ge layer on si substrate" [appl. phys. lett. 90, 083507 (2007)] 期刊论文
Applied physics letters, 2008, 卷号: 93, 期号: 15, 页码: 2
作者:  Zhou, Zhiwen;  Li, Cheng;  Chen, Songyan;  Lai, Hongkai;  Yu, Jinzhong
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