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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Comparison of electrical characteristic between AIN/GaN and AIGaN/GaN heterostructure Schottky diodes 期刊论文 中国物理B：英文版, 2014, 期号: 02, 页码: 421-425 作者:  吕元杰[1];  冯志红[1];  林兆军[2];  顾国栋[2];  敦少博[1] 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/17 肖特基二极管  AlGaN  电特性  异质  AIN  反向击穿电压  电压曲线  势垒高度   Influence of drain bias on the electron mobility in AIGaN/AIN/GaN heterostructure field-effect transistors 期刊论文 中国物理B：英文版, 2013, 期号: 06, 页码: 518-521 作者:  吕元杰[1,2];  冯志红[1];  蔡树军[1];  敦少博[1];  刘波[1] 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/23 AlGaN/GaN heterostructures, electron mobility, drain bias, electron scattering