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	Influence of drain bias on the electron mobility in AIGaN/AIN/GaN heterostructure field-effect transistors
	吕元杰[1,2]; 冯志红[1]; 蔡树军[1]; 敦少博[1]; 刘波[1]; 尹甲运[1]; 张雄文[1]; 房玉龙[1]; 林兆军[2]; 孟令国[2]
刊名	中国物理B：英文版
	2013
期号	06页码:518-521
关键词	AlGaN/GaN heterostructures, electron mobility, drain bias, electron scattering
URL标识	查看原文
内容类型	期刊论文
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/5149231
专题	山东大学
作者单位	Science and Technology on Application Specific Integrated Circuit Laboratory, Hebei Semiconduc
推荐引用方式 GB/T 7714	吕元杰[1,2],冯志红[1],蔡树军[1],et al. Influence of drain bias on the electron mobility in AIGaN/AIN/GaN heterostructure field-effect transistors[J]. 中国物理B：英文版,2013(06):518-521.
APA	吕元杰[1,2].,冯志红[1].,蔡树军[1].,敦少博[1].,刘波[1].,...&栾崇彪[2].(2013).Influence of drain bias on the electron mobility in AIGaN/AIN/GaN heterostructure field-effect transistors.中国物理B：英文版(06),518-521.
MLA	吕元杰[1,2],et al."Influence of drain bias on the electron mobility in AIGaN/AIN/GaN heterostructure field-effect transistors".中国物理B：英文版 .06(2013):518-521.

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