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Uniform fabrication of Ge nanocrystals embedded into SiO_2 film via neutron transmutation doping
期刊论文
Progress in Natural Science: Materials International, 2014, 卷号: 第24卷, 页码: P226-231
作者:
Liu Wei
;
Lu Tiecheng
;
Chen Qingyun
;
Hu Youwen
;
Dun Shaobo
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浏览/下载:1/0
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提交时间:2019/02/28
Ge nanocrystals Ion implantation Neutron transmutation doping Photoluminescence property
Different influences of Schottky metal on the strain and relative permittivity of barrier layer between AIN/GaN and AIGaN/GaN heterostructure Schottky diodes
期刊论文
中国物理B(英文版), 2014, 期号: 2, 页码: 426-430
作者:
Lv YJ(吕元杰)
;
Feng ZH(冯志红)
;
Gu GD(顾国栋)
;
Dun SB(敦少博)
;
Yin JY(尹甲运)
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2019/12/17
肖特基二极管
AlGaN
相对介电常数
阻挡层
基金属
应变
异质
AIN
Different influences of Schottky metal on the strain and relative permittivity of barrier layer between AlN/GaN and AlGaN/GaN heterostructure Schottky diodes
期刊论文
Chinese Physics B, 2014, 期号: 02, 页码: 430-434
作者:
Lv YJ(吕元杰)
;
Feng ZH(冯志红)
;
Gu GD(顾国栋)
;
Dun SB(敦少博)
;
Yin JY(尹甲运)
收藏
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2019/12/17
Al(Ga)N/GaN
strain
relative permittivity
Schottky metal
Comparison of electrical characteristic between AIN/GaN and AIGaN/GaN heterostructure Schottky diodes
期刊论文
中国物理B:英文版, 2014, 期号: 02, 页码: 421-425
作者:
吕元杰[1]
;
冯志红[1]
;
林兆军[2]
;
顾国栋[2]
;
敦少博[1]
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2019/12/17
肖特基二极管
AlGaN
电特性
异质
AIN
反向击穿电压
电压曲线
势垒高度
Enhanced effect of strain-induced polarization Coulomb field scattering in AlN/GaN heterostructure field-effect transistors
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2013, 卷号: 103, 期号: 11
作者:
Lv, Yuanjie
;
Feng, Zhihong
;
Han, Tingting
;
Dun, Shaobo
;
Gu, Guodong
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提交时间:2019/12/23
Influence of drain bias on the electron mobility in AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors
期刊论文
Chinese Physics B, 2013, 期号: 06, 页码: 522-525
作者:
Lv YJ(吕元杰)
;
Feng ZH(冯志红)
;
Cai SJ(蔡树军)
;
Dun SB(敦少博)
;
Liu B(刘波)
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提交时间:2019/12/23
AlGaN/GaN heterostructures
electron mobility
drain bias
electron scattering
Directly extracting both threshold voltage and series resistance from the conductance-voltage curve of an AlGaN/GaN Schottky diode
期刊论文
Chinese Physics B, 2013, 期号: 07, 页码: 430-433
作者:
Lv YJ(吕元杰)
;
Feng ZH(冯志红)
;
Gu GD(顾国栋)
;
Dun SB(敦少博)
;
Yin JY(尹甲运)
收藏
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2019/12/23
AlGaN/GaN heterostructure
Schottky diode
threshold voltage
series resistance
Influence of drain bias on the electron mobility in AIGaN/AIN/GaN heterostructure field-effect transistors
期刊论文
中国物理B:英文版, 2013, 期号: 06, 页码: 518-521
作者:
吕元杰[1,2]
;
冯志红[1]
;
蔡树军[1]
;
敦少博[1]
;
刘波[1]
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提交时间:2019/12/23
AlGaN/GaN heterostructures, electron mobility, drain bias, electron scattering
天然锗纳米晶的制备与中子嬗变掺杂研究
期刊论文
四川大学学报:自然科学版, 2011, 卷号: 48.0, 期号: 003, 页码: 651-654
作者:
范立伟
;
卢铁城
;
敦少博
;
胡又文
;
陈青云
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提交时间:2021/02/02
天然Ge纳米晶
中子嬗变掺杂
拉曼光谱
X射线荧光光谱
天然锗纳米晶的制备与中子嬗变掺杂研究
期刊论文
四川大学学报:自然科学版, 2011, 卷号: 48.0, 期号: 003, 页码: 651-654
作者:
范立伟
;
卢铁城
;
敦少博
;
胡又文
;
陈青云
收藏
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浏览/下载:52/0
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提交时间:2021/02/02
天然Ge纳米晶
中子嬗变掺杂
拉曼光谱
X射线荧光光谱
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