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武汉大学 [6]
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中南大学 [1]
内容类型
期刊论文 [13]
发表日期
2019 [2]
2018 [6]
2017 [3]
2016 [1]
2000 [1]
学科主题
Genetics &... [1]
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Interface Engineering via MoS2 Insertion Layer for Improving Resistive Switching of Conductive-Bridging Random Access Memory
期刊论文
ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS, 2019, 卷号: 5, 期号: 4
作者:
Wu, Facai
;
Si, Shuyao
;
Cao, Peng
;
Wei, Wei
;
Zhao, Xiaolong
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浏览/下载:26/0
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提交时间:2019/12/05
conductive-bridging random access memory
conductive filaments
electrochemical reactions
ion barriers
molybdenum disulfide
Interface Engineering via MoS2 Insertion Layer for Improving Resistive Switching of Conductive-Bridging Random Access Memory
期刊论文
Advanced Electronic Materials, 2019, 卷号: 5, 期号: 4
作者:
Wu, Facai
;
Si, Shuyao
;
Cao, Peng
;
Wei, Wei
;
Zhao, Xiaolong
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2019/12/05
Origin of negative resistance in anion migration controlled resistive memory
期刊论文
Appl. Phys. Lett., 2018
作者:
Writam Banerjee
;
Wu FC(伍法才)
;
Hu Y(胡媛)
;
Wu QT(吴全潭)
;
Wu ZH(吴祖恒)
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2019/04/18
Negative differential resistance effect induced by metal ion implantation in SiO2 film for multilevel RRAM application
期刊论文
Nanotechnology, 2018
作者:
Wu FC(伍法才)
;
shuyao Si
;
Shi T(时拓)
;
Zhao XL(赵晓龙)
;
Liu Q(刘琦)
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2019/04/10
Flexible cation-based threshold selector for resistive switching memory integration
期刊论文
SCIENCE CHINA-INFORMATION SCIENCES, 2018, 卷号: 61, 期号: 6
作者:
Zhao, Xiaolong
;
Wang, Rui
;
Xiao, Xiangheng
;
Lu, Congyan
;
Wu, Facai
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  |  
浏览/下载:15/0
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提交时间:2019/12/05
cation-based threshold switching
resistive switching
flexible selector
conductive filament (CF)
1S1R
Negative differential resistance effect induced by metal ion implantation in SiO2film for multilevel RRAM application
期刊论文
Nanotechnology, 2018, 卷号: 29, 期号: 5
作者:
Wu, Facai
;
Si, Shuyao
;
Shi, Tuo
;
Zhao, Xiaolong
;
Liu, Qi
收藏
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浏览/下载:6/0
  |  
提交时间:2019/12/05
Negative differential resistance effect induced by metal ion implantation in SiO2film for multilevel RRAM application
期刊论文
Nanotechnology, 2018, 卷号: 29, 期号: 5
作者:
Si, Shuyao
;
Wu, Facai
;
Liu, Ming
;
Long, Shibing
;
Lv, Hangbing
收藏
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2019/12/05
Negative differential resistance effect induced by metal ion implantation in SiO2 film for multilevel RRAM application
期刊论文
NANOTECHNOLOGY, 2018, 卷号: 29, 期号: 5
作者:
Wu, Facai
;
Si, Shuyao
;
Shi, Tuo
;
Zhao, Xiaolong
;
Liu, Qi
收藏
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2019/12/05
ion implantation
negative differential resistance
nanoparticles
RRAM
Improvement of Device Reliability by Introducing a BEOL-Compatible TiN Barrier Layer in CBRAM
期刊论文
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2017
作者:
Cao RR(曹荣荣)
;
Liu M(刘明)
;
Long SB(龙世兵)
;
Lv HB(吕杭炳)
;
Wang Y(王艳)
收藏
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2018/07/12
基于六角氮化硼二维薄膜的忆阻器
期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2017
作者:
吴全潭
;
时拓
;
赵晓龙
;
张续猛
;
伍法才
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浏览/下载:25/0
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提交时间:2018/07/12
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