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| III族窒化物半導体薄膜の製造方法 专利
专利号: JP3707211B2, 申请日期: 2005-08-12, 公开日期: 2005-10-19
作者: 大井 明彦; 鈴木 健; 松井 俊之; 松山 秀昭; 上條 洋
  收藏 | 浏览/下载：8/0 | 提交时间：2019/12/24 |
| 集積回路装置の製造方法 专利
专利号: JP2988796B2, 申请日期: 1999-10-08, 公开日期: 1999-12-13
作者: 和田 浩; 小川 洋; 上條 健
收藏 | 浏览/下载：6/0 | 提交时间：2019/12/23 |
| 面発光レーザ用ミラー構造およびその形成方法 专利
专利号: JP1999145555A, 申请日期: 1999-05-28, 公开日期: 1999-05-28
作者: 武政 敬三; 和田 浩; 高森 毅; 上條 健
收藏 | 浏览/下载：5/0 | 提交时间：2019/12/31 |
| III 族窒化物半導体素子およびその製造方法 专利
专利号: JP1999121800A, 申请日期: 1999-04-30, 公开日期: 1999-04-30
作者: 鈴木 健; 松井 俊之; 大井 明彦; 松山 秀昭; 上條 洋
收藏 | 浏览/下载：2/0 | 提交时间：2020/01/18 |
| III 族窒化物半導体素子およびその製造方法 专利
专利号: JP1999112107A, 申请日期: 1999-04-23, 公开日期: 1999-04-23
作者: 鈴木 健; 松井 俊之; 大井 明彦; 松山 秀昭; 上條 洋
收藏 | 浏览/下载：9/0 | 提交时间：2019/12/31 |
| 半導体光素子の製造方法 专利
专利号: JP2918401B2, 申请日期: 1999-04-23, 公开日期: 1999-07-12
作者: 高森 毅; 渡邊 賢司; 上條 健
收藏 | 浏览/下载：5/0 | 提交时间：2020/01/18 |
| 発光素子モジュールおよび発光素子の温度制御方法 专利
专利号: JP1998335739A, 申请日期: 1998-12-18, 公开日期: 1998-12-18
作者: 和田 浩; 上條 健
收藏 | 浏览/下载：9/0 | 提交时间：2019/12/30 |
| 半導体レーザの製造方法 专利
专利号: JP2804197B2, 申请日期: 1998-07-17, 公开日期: 1998-09-24
作者: 堀川 英明; 松井 康浩; 上條 健
收藏 | 浏览/下载：7/0 | 提交时间：2020/01/18 |
| 半導体レーザ 专利
专利号: JP2783947B2, 申请日期: 1998-05-22, 公开日期: 1998-08-06
作者: 堀川 英明; 上條 健; 松井 康浩; 城間 真
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| 化合物半導体薄膜結晶の成長方法 专利
专利号: JP2766645B2, 申请日期: 1998-04-03, 公开日期: 1998-06-18
作者: 杉山 直治; 上條 健; 山田 正理; 大木 芳正
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