| III 族窒化物半導体素子およびその製造方法 | |
| 鈴木 健; 松井 俊之; 大井 明彦; 松山 秀昭; 上條 洋 | |
| 1999-04-23 | |
| 著作权人 | FUJI ELECTRIC CO LTD |
| 专利号 | JP1999112107A |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | III 族窒化物半導体素子およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】接触抵抗が小さく、素子抵抗の低いIII 族窒化物半導体素子を提供する。 【解決手段】SiまたはGeまたはその混晶、GaAsまたはGaP またはその混晶からなる半導体基板1s上にAlx Gay In1-x-y N (但し、 0≦x,y ≦1 、 0≦x+y≦1 )膜(2tないし7)が積層されてなるIII 族窒化物半導体素子であって、前記Si基板と前記Alx Gay In1-x-y N との間には結晶構造が螢石型またはCr3Si型であり、高い導電性を有する材料からなる導電性バッファ層Cを介在させる。 |
| 公开日期 | 1999-04-23 |
| 申请日期 | 1997-10-08 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/60101]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FUJI ELECTRIC CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 鈴木 健,松井 俊之,大井 明彦,等. III 族窒化物半導体素子およびその製造方法. JP1999112107A. 1999-04-23. |
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