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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Prediction of Stable and High-Performance Charge Transport in Zigzag Tellurene Nanoribbons 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2019, 卷号: 66, 期号: 5 作者:  Lv, Yawei;  Liu, Yuan;  Qin, Wenjing;  Chang, Sheng;  Jiang, Changzhong 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/12/05 Current density  edge saturation  first principles  MOSFET  tellurene nanoribbon (TNR)   Prediction of Stable and High-Performance Charge Transport in Zigzag Tellurene Nanoribbons 期刊论文 IEEE Transactions on Electron Devices, 2019, 卷号: Vol.66 No.5, 页码: 2365-2369 作者:  Yawei Lv;  Yuan Liu;  Wenjing Qin;  Sheng Chang;  Changzhong Jiang 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/12/13 Bonding  Transistors  Nanoribbons  Photonic band gap  Physics  Graphene  Discrete Fourier transforms  Current density  edge saturation  first principles  MOSFET  tellurene nanoribbon (TNR)   Prediction of Stable and High-Performance Charge Transport in Zigzag Tellurene Nanoribbons. 期刊论文 IEEE Transactions on Electron Devices, 2019, 卷号: Vol.66 No.5, 页码: 2365-2369 作者:  Lv, YW;  Liu, Y;  Qin, WJ;  Chang, S;  Jiang, CZ 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/12/17 Current density  edge saturation  first principles  MOSFET  tellurene nanoribbon (TNR)