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Verification of SEU resistance in 65 nm high-performance SRAM with dual DICE interleaving and EDAC mitigation strategies
期刊论文
NUCLEAR SCIENCE AND TECHNIQUES, 2021, 卷号: 32, 期号: 12, 页码: 13
作者:
He, Ze
;
Zhao, Shi-Wei
;
Liu, Tian-Qi
;
Cai, Chang
;
Yan, Xiao-Yu
收藏
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浏览/下载:67/0
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提交时间:2022/01/12
Double interlocked storage cell (DICE)
Error detection and correction (EDAC) code
Heavy ion
Radiation hardening technology
Single event upset (SEU)
Static random-access memory (SRAM)
Impact of heavy ion energy and species on single-event upset in commercial floating gate cells
期刊论文
MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2021, 卷号: 120, 页码: 6
作者:
Ye, Bing
;
Mo, Li-Hua
;
Zhai, Peng-Fei
;
Cai, Li
;
Liu, Tao
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浏览/下载:40/0
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提交时间:2021/12/09
Flash memories
Linear energy transfer
Single-event upset
Heavy ions
Geant4
Neutron-induced single event upset simulation in Geant4 for three-dimensional die-stacked SRAM*
期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2021, 卷号: 30, 期号: 3, 页码: 8
作者:
Mo, Li-Hua
;
Ye, Bing
;
Liu, Jie
;
Luo, Jie
;
Sun, You-Mei
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浏览/下载:33/0
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提交时间:2021/12/10
neutron
three-dimension ICs
single event upset
multi-bit upset
Geant4
Influence of Orbital Parameters on SEU Rate of Low-Energy Proton in Nano-SRAM Device
期刊论文
SYMMETRY-BASEL, 2020, 卷号: 12, 期号: 12, 页码: 10
作者:
Ye, Bing
;
Mo, Li-Hua
;
Liu, Tao
;
Sun, You-Mei
;
Liu, Jie
收藏
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2021/12/13
SRAM
single-event upset
on-orbit error rate
low-energy proton
Multiple Layout-Hardening Comparison of SEU-Mitigated Filp-Flops in 22-nm UTBB FD-SOI Technology
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2020, 卷号: 67, 期号: 1, 页码: 374-381
作者:
Cai, Chang
;
Liu, Tianqi
;
Zhao, Peixiong
;
Fan, Xue
;
Huang, Hongyang
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2022/01/19
D filp-flops (DFFs)
heavy ions
radiation hardening
single-event upsets (SEUs)
ultrathin body and buried oxide fully depleted silicon on insulator (UTBB FDSOI)
SEE Sensitivity Evaluation for Commercial 16 nm SRAM-FPGA
期刊论文
ELECTRONICS, 2019, 卷号: 8, 期号: 12, 页码: 12
作者:
Cai, Chang
;
Gao, Shuai
;
Zhao, Peixiong
;
Yu, Jian
;
Zhao, Kai
收藏
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浏览/下载:38/0
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提交时间:2022/01/19
field-programmable gate arrays
embedded block memory
single event
fault tolerance
radiation effect
Heavy-ion induced radiation effects in 50 nm NAND floating gate flash memories
期刊论文
MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2019, 卷号: 102, 页码: 6
作者:
Yin, Ya-nan
;
Liu, Jie
;
Liu, Tian-qi
;
Ye, Bing
;
Ji, Qing-gang
收藏
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2022/01/19
Annealing
Flash memories
Heavy ions
Retention errors
Single event upset
SEU tolerance improvement in 22 nm UTBB FDSOI SRAM based on a simple 8T hardened cell
期刊论文
MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2019, 卷号: 100, 页码: 6
作者:
Cai, C.
;
Zhao, P. X.
;
Xu, L. W.
;
Liu, T. Q.
;
Li, D. Q.
收藏
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2022/01/19
UTBB FDSOI
Radiation hardened
8T
SRAM
Single event upset
Total Ionizing Dose Influence on the Single-Event Multiple-Cell Upsets in 65-nm 6-T SRAM
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2019, 卷号: 66, 期号: 6, 页码: 892-898
作者:
Zheng, Qiwen
;
Cui, Jiangwei
;
Lu, Wu
;
Guo, Hongxia
;
Liu, Jie
收藏
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浏览/下载:74/0
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提交时间:2019/11/10
Single-event multiple-cell upsets (MCUs)
static random access memory
total ionizing dose (TID)
Heavy-Ion Induced Single Event Upsets in Advanced 65 nm Radiation Hardened FPGAs
期刊论文
ELECTRONICS, 2019, 卷号: 8, 期号: 3, 页码: 13
作者:
Ke, Lingyun
;
Zhao, Peixiong
;
Liu, Jie
;
Fan, Xue
;
Cai, Chang
收藏
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浏览/下载:108/0
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提交时间:2019/11/10
FPGA
radiation hardening
single event upsets
heavy ions
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