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Recent Progress on AlGaN Based Deep Ultraviolet Light-Emitting Diodes below 250 nm 期刊论文
Crystals, 2022, 卷号: 12, 期号: 12, 页码: 23
作者:  C. Y. Zhang;  K. Jiang;  X. J. Sun and D. B. Li
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Quantum engineering of non-equilibrium efficient p-doping in ultra-wide band-gap nitrides 期刊论文
Light: Science and Applications, 2021, 卷号: 10, 期号: 1
作者:  K. Jiang;  X. Sun;  Z. Shi;  H. Zang;  J. Ben
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In situ fabrication of Al surface plasmon nanoparticles by metal-organic chemical vapor deposition for enhanced performance of AlGaN deep ultraviolet detectors 期刊论文
Nanoscale Advances, 2020, 卷号: 2, 期号: 5, 页码: 1854-1858
作者:  Y. Wu,X. J. Sun,Z. M. Shi,Y. P. Jia,K. Jiang,J. W. Ben,C. H. Kai,Y. Wang,W. Lu and D. B. Li
收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2021/07/06
Simulation and fabrication of N-polar GaN-based blue-green light- emitting diodes with p-type AlGaN electron blocking layer 期刊论文
JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, 2018, 卷号: 29, 期号: 11, 页码: 9321-9325
作者:  Gaoqiang Deng;  Yuantao Zhang;  Ye Yu;  Long Yan;  Pengchong Li;  Xu Han;  Liang Chen;  Degang Zhao;  Guotong Du
收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/11/19
AlGaN photonics_recent advances in materials and ultraviolet devices 期刊论文
Advances in Optics and Photonics, 2018, 卷号: 10, 期号: 1, 页码: 43-110
作者:  Li, D. B.;  Jiang, K.;  Sun, X. J.;  Guo, C. L.
收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/09/17
Room-temperature continuous-wave electrically pumped InGaN GaN quantum well blue laser diode directly grown on Si 期刊论文
Light-Science & Applications, 2018, 卷号: 7, 页码: 6
作者:  Sun, Y.;  Zhou, K.;  Feng, M. X.;  Li, Z. C.;  Zhou, Y.
收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/09/17
Positive Shift in Threshold Voltage Induced by CuO and NiOx Gate in AlGaN/GaN HEMTs 期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2017, 卷号: 64, 期号: 8
作者:  Li, Yi;  Guo, Yaxiong;  Zhang, Kai;  Zou, Xuming;  Wang, Jingli
收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/12/05
Positive Shift in Threshold Voltage Induced by CuO and NiOx Gate in AlGaN/GaN HEMTs 期刊论文
IEEE Transactions on Electron Devices, 2017, 卷号: Vol.64 No.8, 页码: 3139-3144
作者:  Li, Y;  Guo, YX;  Zhang, K;  Zou, XM;  Wang, JL
收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/12/31
Positive Shift in Threshold Voltage Induced by CuO and NiOₓ Gate in AlGaN/GaN HEMTs 期刊论文
IEEE Transactions on Electron Devices, 2017, 页码: 1-6
作者:  Yi Li;  Yaxiong Guo;  Kai Zhang;  Xuming Zou;  Jingli Wang
收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/12/31
高Al组分AlGaN半导体中的Mg杂质工程 学位论文
2016, 2015
郑同场
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