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Hybrid Ga2O3/AlGaN/GaN Ultraviolet Detector With Gate Metal in the Grooved AlGaN Layer for Obtaining Low Dark Current and Large Detectivity 期刊论文
Ieee Transactions on Electron Devices, 2022, 卷号: 69, 期号: 11, 页码: 6166-6170
作者:  Z. P. Liu;  C. S. Chu;  B. X. Wang;  G. S. Huang;  K. Jiang
收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2023/06/14
面向多模态序列数据的模式分类方法研究 学位论文
中国科学院自动化研究所: 中国科学院自动化研究所, 2020
作者:  谢龙飞
收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2020/06/11
Hybrid-gate structure designed for high-performance normally-off p-GaN high-electron-mobility transistor 期刊论文
Japanese Journal of Applied Physics, 2020, 卷号: 59, 期号: 11, 页码: 111001
作者:  Di Niu;   Quan Wang;   Wei Li;   Changxi Chen;   Jiankai Xu;   Lijuan Jiang;   Chun Feng;   Hongling Xiao;   Qian Wang;   Xiangang Xu;   Xiaoliang Wang
收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2021/05/24
Switching Transient Analysis for Normally-Off GaN Transistors with p-GaN Gate in a Phase-Leg Circuit 期刊论文
IEEE Transactions on Power Electronics, 2019, 卷号: 34, 页码: 3711-3728
作者:  Xie, Ruiliang;  Yang, Xu;  Xu, Guangzhao;  Wei, Jin;  Wang, Yuru
收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2019/11/19
一种GaN基功率电子器件及其制备方法 专利
专利号: US10062775, 申请日期: 2018-08-28, 公开日期: 2017-10-26
作者:  王鑫华;  刘新宇;  黄森;  赵超;  王文武
收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/03/27
10 A/567 V normally off p-GaN gate HEMT with high-threshold voltage and low-gate leakage current 期刊论文
ELECTRONICS LETTERS, 2018
作者:  Wang, Qilong;  Zhang, Bingliang;  Du, Zhongkai;  Zhao, Jie(赵杰);  Chen, Fu(陈扶)
收藏  |  浏览/下载：87/0  |  提交时间：2019/03/27
Gate leakage mechanisms in normally off p-GaN/AlGaN/GaN high electron mobility transistors 期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2018
作者:  Ding, Xiaoyu;  Yu, Guohao;  Cheng, Kai;  Cai, Yong;  Zhang, Baoshun(张宝顺)
收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2019/03/27
Van der Waals Coupled Organic Molecules with Monolayer MoS2 for Fast Response Photodetectors with Gate-Tunable Responsivity. 期刊论文
ACS Nano, 2018, 卷号: Vol.12 No.4, 页码: 4062-4073
作者:  Huang, Y.a;  Zhuge, F.a;  Hou, J.b;  Lv, L.a;  Luo, P.a
收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/11/21
Gate leakage mechanisms in normally off p-GaN/AlGaN/GaN high electron mobility transistors 期刊论文
Applied Physics Letters, 2018, 卷号: Vol.113 No.15, 页码: 152104
作者:  Ning Xu;  Ronghui Hao;  Fu Chen;  Xiaodong Zhang;  Hui Zhang
收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/26
p-GaN Gate Enhancement-Mode HEMT Through a High Tolerance Self-Terminated Etching Process 期刊论文
IEEE JOURNAL OF THE ELECTRON DEVICES SOCIETY, 2017
作者:  Zhou, Yu（周宇）;  Zhong, Yaozong;  Gao, Hongwei（高宏伟）;  Dai, Shujun;  He, Junlei
收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2018/02/05

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