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Domain-wall induced giant tunneling electroresistance effect in two-dimensional Graphene/In2Se3 ferroelectric tunnel junctions
期刊论文
PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES, 2021, 卷号: 133
作者:
Kang, Lili
;
Jiang, Peng
;
Zhang, Xiaoli
;
Hao, Hua
;
Zheng, Xiaohong
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浏览/下载:36/0
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提交时间:2021/08/31
Ferroelectric tunnel junctions
Tunneling electroresistance effect
Domain walls
Quantum transport
First principles
Giant tunnel electroresistance in ferroelectric tunnel junctions with metal contacts to two-dimensional ferroelectric materials
期刊论文
PHYSICAL REVIEW B, 2021, 卷号: 103
作者:
Kang, Lili
;
Jiang, Peng
;
Hao, Hua
;
Zhou, Yanhong
;
Zheng, Xiaohong
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浏览/下载:58/0
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提交时间:2021/06/15
Reliable Nonvolatile Memory Black Phosphorus Ferroelectric Field-Effect Transistors with van der Waals Buffer
期刊论文
ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2019, 卷号: 11, 期号: 45, 页码: 42358-42364
作者:
Yan, Shili
;
Huang, Hai
;
Xie, Zhijian
;
Ye, Guojun
;
Li, Xiao-Xi
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2021/02/02
black phosphorus
P(VDF-TrFE)
nonvolatile ferroelectric memories
field-effect transistors (FETs)
anti-hysteresis
Resistive Switching Behavior in Ferroelectric Heterostructures
期刊论文
SMALL, 2019, 卷号: 15, 期号: 32, 页码: 13
作者:
Wang, Zhan Jie
;
Bai, Yu
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2021/02/02
conductivity
ferroelectric heterostructures
ferroelectricity
resistive switching
Resistive Switching Behavior in Ferroelectric Heterostructures
期刊论文
SMALL, 2019, 卷号: 15, 期号: 32, 页码: 13
作者:
Wang, Zhan Jie
;
Bai, Yu
收藏
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2021/02/02
conductivity
ferroelectric heterostructures
ferroelectricity
resistive switching
Gate-Tunable and Programmable n-InGaAs/Black Phosphorus Heterojunction Diodes
期刊论文
ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2019, 卷号: 11, 期号: 26, 页码: 23382-23391
作者:
Lee, Youngsu
;
Um, Doo-Seung
;
Lim, Seongdong
;
Lee, Hochan
;
Kim, Minsoo P.
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提交时间:2019/11/15
heterojunction
multifunctional devices
black phosphorus
III-V compound semiconductor
nanomembrane
Power and Area Efficient FPGA Building Blocks Based on Ferroelectric FETs
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON CIRCUITS AND SYSTEMS I-REGULAR PAPERS, 2019, 卷号: 66, 期号: 5, 页码: 1780-1793
作者:
Chen, Xiaoming
;
Ni, Kai
;
Niemier, Michael T.
;
Han, Yinhe
;
Datta, Suman
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浏览/下载:61/0
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提交时间:2019/08/16
Ferroelectric field-effect transistor (FeFET)
field-programmable gate array (FPGA)
lookup table (LUT)
routing switch
Ferroelectric FETs-Based Nonvolatile Logic-in-Memory Circuits
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON VERY LARGE SCALE INTEGRATION (VLSI) SYSTEMS, 2019, 卷号: 27, 期号: 1, 页码: 159-172
作者:
Chen, Xiaoming
;
Niemier, Michael
;
Hu, Xiaobo Sharon
;
Yin, Xunzhao
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浏览/下载:70/0
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提交时间:2019/04/03
Ferroelectric FET (FeFET)
logic-in-memory (LiM)
nonvolatile (NV) memory
Ultrahigh stress response and storage properties in a single CdS nanobelt-based flexible device for an erasable nonvolatile stress sensing and memory effect
期刊论文
Journal of Materials Chemistry C, 2019, 卷号: 7, 期号: 25, 页码: 7654-7663
作者:
Yang, Xiaoqian
;
Zhou, Huiying*
;
Chen, Taowen
;
Zhao, Jie
;
Tong, Tao
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2019/12/28
Current-controlled negative differential resistance in small-polaron hopping system
期刊论文
AIP ADVANCES, 2019, 卷号: 9, 期号: 5, 页码: 55223
作者:
Wu Jing
;
Hu Tao
;
Yin Yiming
;
Li Jingbo
;
Zhou Wei
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浏览/下载:267/0
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提交时间:2019/11/13
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