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Impact of High TID Irradiation on Stability of 65 nm SRAM Cells 期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2022, 卷号: 69, 期号: 5, 页码: 1044-1050
作者:  Cui, JW (Cui, Jiangwei) [1];  Zheng, QW (Zheng, Qiwen) [1];  Li, YD (Li, Yudong) [1];  Guo, Q (Guo, Qi) [1]
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TID Response and Radiation-Enhanced Hot-Carrier Degradation in 65-nm nMOSFETs: Concerns on the Layout-Dependent Effects 期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2021, 卷号: 68, 期号: 8, 页码: 1565-1570
作者:  Ren, ZX (Ren, Zhexuan);  1An, X (An, Xia) 1;  Li, GS (Li, Gensong) 1;  Liu, JY (Liu, Jingyi) 1;  Xun, MZ (Xun, Mingzhu) 2
收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2021/09/22
The influence of channel width on total ionizing dose responses of the 130 nm H-gate partially depleted SOI NMOSFETs 期刊论文
RADIATION EFFECTS AND DEFECTS IN SOLIDS, 2020, 卷号: 175, 期号: 5-6, 页码: 551-558
作者:  Xi, SX (Xi, Shan-Xue)[ 1,2,3 ];  Zheng, QW (Zheng, Qi-Wen)[ 1,2 ];  Lu, W (Lu, Wu)[ 1,2 ];  Cui, JW (Cui, Jiang-Wei)[ 1,2 ];  Wei, Y (Wei, Ying)[ 1,2 ]
收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2020/07/06
130nm部分耗尽绝缘体上硅工艺晶体管总剂量效应及模型研究 学位论文
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2019
作者:  席善学
收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/07/15
Radiation and Annealing Characteristics of Interface traps in SOI NMOSFETs by the Direct-Current Current-Voltage Technique 会议论文
作者:  Li YY(李洋洋);  Li XJ(李晓静);  Li B(李博);  Gao LC(高林春);  Yan WW(闫薇薇)
收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2019/05/09
Bias Dependence of Radiation-Induced Narrow-Width Channel Effects in 65 nm NMOSFETs 期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2018, 卷号: 35, 期号: 4, 页码: 1-4
作者:  Zheng, QW (Zheng, Qi-Wen);  Cui, JW (Cui, Jiang-Wei);  Wei, Y (Wei, Ying);  Yu, XF (Yu, Xue-Feng);  Lu, W (Lu, Wu)
收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2018/05/07
Degradation induced by hot carrier and cold carrier in 65-nm NMOSFETs with enclosed gate and two-edged gate layouts 期刊论文
2018, 卷号: 13, 期号: 8, 页码: 1096-1100
作者:  Shen, Jingyu;  Zhang, Ming;  Li, Wei;  Fan, Xue;  Li, Jianjun
收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/13
Investigation of the surface orientation influence on 10-nm double gate GaSb nMOSFETs 其他
2017-01-01
Di, Shaoyan; Shen, Lei; Lun, Zhiyuan; Chang, Pengying; Zhao, Kai; Lu, Tiao; Du, Gang; Liu, Xiaoyan
收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2017/12/03
Investigation of the surface orientation influence on 10-nm double gate GaSb nMOSFETs 其他
2017-01-01
Di Shaoyan; Shen Lei; Lun Zhiyuan; Chang Pengying; Zhao Kai; Lu Tiao; Du Gang; Liu Xiaoyan
收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2017/12/03
Complexity of the Total Dose Radiation Response of Fully Depleted Silicon On Insulator NMOSFETs 会议论文
作者:  Zheng ZS(郑中山);  Han ZS(韩郑生);  Luo JJ(罗家俊);  Gao JT(高见头);  Li BH(李彬鸿)
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