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Stress-induced charge trapping and electrical properties of atomic-layer-deposited HfAlO/Ga2O3 metal-oxide-semiconductor capacitors
期刊论文
2019, 卷号: 52
作者:
Zhang, Hongpeng
;
Yuan, Lei
;
Jia, Renxu
;
Tang, Xiaoyan
;
Hu, Jichao
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2019/12/20
gallium oxide
HfAlO/Ga2O3 MOSCAP
constant-voltage stress
oxide traps
Interface Modulation and Optimization of Electrical Properties of HfGdO/GaAs Gate Stacks by ALD-Derived Al2O3 Passivation Layer and Forming Gas Annealing
期刊论文
ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS, 2018, 卷号: 4, 期号: 4, 页码: 9
作者:
Jiang, Shanshan
;
He, Gang
;
Liu, Mao
;
Zhu, Li
;
Liang, Shuang
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浏览/下载:65/0
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提交时间:2019/06/10
electrical properties
forming gas annealing
high-k gate dielectrics
interface chemistry
metal-oxide-semiconductor capacitors
Interface Modulation and Optimization of Electrical Properties of HfGdO/GaAs Gate Stacks by ALD‐Derived Al2O3 Passivation Layer and Forming Gas Annealing
期刊论文
Advanced Electronic Materials, 2018, 卷号: Vol.4 No.4
作者:
Wendong Li
;
Shuang Liang
;
Li Zhu
;
Mao Liu
;
Mingliang Tian
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浏览/下载:44/0
  |  
提交时间:2019/04/22
electrical
properties
forming
gas
annealing
high‐k
gate
dielectrics
interface
chemistry
metal‐oxide‐semiconductor
capacitors
Interface quality modulation, band alignment modification and optimization of electrical properties of HfGdO/Ge gate stacks by nitrogen incorporation
期刊论文
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2017, 卷号: 695, 期号: 无, 页码: 2199-2206
作者:
Gao, J.
;
He, G.
;
Fang, Z. B.
;
Lv, J. G.
;
Liu, M.
收藏
  |  
浏览/下载:16/0
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提交时间:2018/07/04
High-k Gate Dielectrics
Interface Quality
Band Alignment
Electrical Properties
Leakage Current Mechanism
Voltage Suppression in Wire-Bond-Based Multichip Phase-Leg SiC MOSFET Module Using Adjacent Decoupling Concept
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON INDUSTRIAL ELECTRONICS, 2017, 卷号: 64, 页码: 8235-8246
作者:
Ren, Yu
;
Yang, Xu
;
Zhang, Fan
;
Wang, Laili
;
Wang, Kangping
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2019/11/26
silicon carbide (SiC) metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET)
module packaging
Commutation loop inductance
voltage overshoot
split decoupling capacitors
Modification of band alignments and optimization of electrical properties of InGaZnO MOS capacitors with high-k HfOxNy gate dielectrics
期刊论文
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2016, 卷号: 679, 期号: 无, 页码: 115-121
作者:
Zheng, C. Y.
;
He, G.
;
Chen, X. F.
;
Liu, M.
;
Lv, J. G.
收藏
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2017/10/18
Band Offset
Hfo2/ingazno4 Heterojunctions
X-ray Photoelectron Spectroscopy
Thin Film Transistors
Electrical Properties
Mos Capacitor
Microstructure, optical and electrical properties of sputtered HfFiO high-k gate dielectric thin films
期刊论文
CERAMICS INTERNATIONAL, 2016, 卷号: 42, 期号: 10, 页码: 11640-11649
作者:
Jiang, S. S.
;
He, G.
;
Gao, J.
;
Xiao, D. Q.
;
Jin, P.
收藏
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2017/10/18
Electrical Properties
High-k Gate Dielectrics
Metal-oxide-semiconductor
Conduction Mechanisms
Sputtering
一种基于直流电容取电的多电平变流器电容动态均压方法
期刊论文
2016, 2016
魏应冬
;
张春朋
;
于心宇
;
姜齐荣
;
WEI Yingdong
;
ZHANG Chunpeng
;
YU Xinyu
;
JIANG Qirong
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浏览/下载:7/0
Interfacial and electrical properties of HfAlO/GaSb metal-oxide-semiconductor capacitors with sulfur passivation
期刊论文
2016, 2016
谭桢
;
赵连锋
;
王敬
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许军
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Tan Zhen
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Zhao Lian-Feng
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Wang Jing
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Xu Jun
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浏览/下载:8/0
Evolution of interface chemistry and dielectric properties of HfO2/Ge gate stack modulated by Gd incorporation and thermal annealing
期刊论文
AIP ADVANCES, 2016, 卷号: 6, 期号: 2, 页码: 1-7
作者:
He, Gang
;
Zhang, Jiwen
;
Sun, Zhaoqi
;
Lv, Jianguo
;
Chen, Hanshuang
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2017/09/15
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