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上海微系统与信息技术... [6]
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2009 [2]
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Thermal Effect on Microchannel Electro-osmotic Flow With Consideration of Thermodiffusion
期刊论文
JOURNAL OF HEAT TRANSFER-TRANSACTIONS OF THE ASME, 2015, 卷号: 137
作者:
Zhou, Yi
;
Xie, Yongqi
;
Yang, Chun
;
Lam, Yee Cheong
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2020/01/06
thermal effect
electro-osmotic flow
ion thermodiffusion
microfluidics
heat transfer
Smooth Surface Morphology of Hydrogenated Amorphous Silicon Film Prepared by Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition
期刊论文
PLASMA SCIENCE & TECHNOLOGY, 2009, 卷号: 11, 期号: 5, 页码: 569-575
Yan, X
;
Feng, F
;
Zhang, J
;
Wang, YL
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浏览/下载:17/0
  |  
提交时间:2012/03/24
A-SI-H
THIN-FILMS
ION-BOMBARDMENT
LOW-TEMPERATURE
SILANE PLASMA
GROWTH
PECVD
DIFFUSION
ROUGHNESS
FREQUENCY
Enhancement of conductivity and transmittance of ZnO films by post hydrogen plasma treatment
期刊论文
journal of applied physics, 2009, 卷号: 105, 期号: 8, 页码: art. no. 083713
作者:
Zhang XW
;
You JB
;
Yin ZG
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浏览/下载:71/1
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提交时间:2010/03/08
annealing
carrier density
carrier mobility
diffusion
electrical conductivity
electrical resistivity
hydrogen
II-VI semiconductors
impurity states
interstitials
light transmission
plasma materials processing
semiconductor thin films
sputter deposition
vacancies (crystal)
visible spectra
wide band gap semiconductors
zinc compounds
Effect of ion-induced defects and oxygen concentration in annealing atmosphere on formation of buried oxide layer in SIMOX materials
期刊论文
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2005, 卷号: 20, 期号: 3, 页码: 305-309
Chen, J
;
Wang, X
;
Jin, B
;
Zhang, E
;
Sun, J
;
Wang, X
收藏
  |  
浏览/下载:7/0
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提交时间:2012/03/24
IMPLANTED SILICON
ISOTOPIC EXCHANGE
ON-INSULATOR
SI
TEMPERATURE
DIFFUSION
Increased thickness of buried oxide layer of silicon on insulator in separation by implantation of oxygen with water plasma
期刊论文
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 2002, 卷号: 20, 期号: 4, 页码: 1570-1573
Chen, J
;
Chen, M
;
Dong, YM
;
Wang, X
;
Zheng, ZH
;
Wang, X
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2012/03/24
ION-IMPLANTATION
HIGH-TEMPERATURE
DIFFUSION
HYDROGEN
MECHANISM
OXIDATION
SIMOX
SIO2
Carbonization process of Si(100) by ion-beam bombardment
期刊论文
journal of crystal growth, 2001, 卷号: 233, 期号: 3, 页码: 446-450
Liao MY
;
Chai CL
;
Yao ZY
;
Yang SY
;
Liu ZK
;
Wang ZG
收藏
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浏览/下载:84/8
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提交时间:2010/08/12
diffusion
growth models
ion bombardment
reflection high energy electron diffraction
physical vapor phase deposition
semiconducting silicon compounds
CUBIC GAN
GROWTH
DEPOSITION
EPITAXY
SILICON
DIAMOND
Secondary ion mass spectrometry characterization of ion-implanted arsenic distribution in bulk HgCdTe
期刊论文
JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2000, 卷号: 19, 期号: 4, 页码: 281-284
Zhao, J
;
Lu, HQ
;
Li, XY
;
Fang, JX
收藏
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2012/03/24
DIFFUSION
CDTE
CDXHG1-XTE
JUNCTIONS
LAYERS
Boron diffusion in Ge+ premorphized and BF2+ implanted Si(001)
期刊论文
revista mexicana de fisica, 1998, 卷号: 44, 期号: 0, 页码: 85-88
Zou LF
;
Acosta-Ortiz SE
;
Zou LX
;
Regalado LE
;
Sun DZ
;
Wang ZG
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浏览/下载:34/0
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提交时间:2010/08/12
diffusion
implantation
Ge ion
BF2 ion
ION-IMPLANTATION
REGROWTH
SILICON
LAYERS
ELECTRICAL-PROPERTIES
Photoluminescence studies of GaAs/AlGaAs single quantum well intermixed by Ga+ ion implantation
期刊论文
solid state communications, 1996, 卷号: 98, 期号: 12, 页码: 1039-1042
Sai N
;
Zheng BZ
;
Xu JZ
;
Zhang PH
;
Yang XP
;
Xu ZY
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2010/11/17
quantum wells
intermixing
photoluminescence
INTERDIFFUSION
WIRES
Ion beam modification of polyimide membranes for gas permeation
期刊论文
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 1995, 卷号: 105, 期号: 1-4, 页码: 130-133
Escoubes, M
;
Dolveck, JY
;
Davenas, J
;
Xu, XL
;
Boiteux, G
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2012/03/25
NUCLEAR TRACKS
DIFFUSION
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