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	Resistive Switching Behavior in Ferroelectric Heterostructures 期刊论文 SMALL, 2019, 卷号: 15, 期号: 32, 页码: 13 作者: Wang, Zhan Jie; Bai, Yu 收藏 \| 浏览/下载：24/0 \| 提交时间：2021/02/02 conductivity ferroelectric heterostructures ferroelectricity resistive switching
	Resistive Switching Behavior in Ferroelectric Heterostructures 期刊论文 SMALL, 2019, 卷号: 15, 期号: 32, 页码: 13 作者: Wang, Zhan Jie; Bai, Yu 收藏 \| 浏览/下载：21/0 \| 提交时间：2021/02/02 conductivity ferroelectric heterostructures ferroelectricity resistive switching
	Power and Area Efficient FPGA Building Blocks Based on Ferroelectric FETs 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON CIRCUITS AND SYSTEMS I-REGULAR PAPERS, 2019, 卷号: 66, 期号: 5, 页码: 1780-1793 作者: Chen, Xiaoming; Ni, Kai; Niemier, Michael T.; Han, Yinhe; Datta, Suman 收藏 \| 浏览/下载：61/0 \| 提交时间：2019/08/16 Ferroelectric field-effect transistor (FeFET) field-programmable gate array (FPGA) lookup table (LUT) routing switch
	Effects of total ionizing dose on single event effect sensitivity of FRAMs 期刊论文 MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2019, 卷号: 95, 页码: 1-7 作者: Ji, Qinggang; Liu, Jie; Li, Dongqing; Liu, Tianqi; Ye, Bing 收藏 \| 浏览/下载：54/0 \| 提交时间：2019/11/10 Ferroelectric random access memory Total ionizing dose Single event effect TCAD simulation
	Single event effects in commercial FRAM and mitigation technique using neutron-induced displacement damage 期刊论文 Microelectronics Reliability, 2019, 卷号: 92, 页码: 149-154 作者: Wei, Jia-nan; Guo, Hong-xia; Zhang, Feng-qi; He, Chao-hui; Ju, An-an 收藏 \| 浏览/下载：28/0 \| 提交时间：2019/11/19 Complementary metal oxide semiconductor process Displacement damages Ferroelectric random access memory Latch-ups Mitigation techniques Parasitic bipolar transistors Peripheral circuits Single event effects
	Ferroelectric FETs-Based Nonvolatile Logic-in-Memory Circuits 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON VERY LARGE SCALE INTEGRATION (VLSI) SYSTEMS, 2019, 卷号: 27, 期号: 1, 页码: 159-172 作者: Chen, Xiaoming; Niemier, Michael; Hu, Xiaobo Sharon; Yin, Xunzhao 收藏 \| 浏览/下载：70/0 \| 提交时间：2019/04/03 Ferroelectric FET (FeFET) logic-in-memory (LiM) nonvolatile (NV) memory
	Impact of chemical doping on resistive switching behavior in Zirconium-doped CHNHPbI based RRAM 期刊论文 Organic Electronics, 2019 作者: Yuli He; Guokun Ma; Xiaowen Zhou; Hengmei Cai; Chunlei Liu 收藏 \| 浏览/下载：5/0 \| 提交时间：2019/12/17 resistive random-access memory CH3NH3PbI3 perovskite Zirconium doping space-charge limited conduction Schottky emission
	Experimental study about single event functional interrupt of ferroelectric random access memory induced by 30-90 MeV proton 期刊论文 ACTA PHYSICA SINICA, 2018, 卷号: 67 作者: Ju An-An; Guo Hong-Xia; Zhang Feng-Qi; Guo Wei-Xin; Ouyang Xiao-Ping 收藏 \| 浏览/下载：16/0 \| 提交时间：2019/11/19 single event functional interrupt ferroelectric random access memory middle energy proton
	Organic Ferroelectric-Based 1T1T Random Access Memory Cell Employing a Common Dielectric Layer Overcoming the Half-Selection Problem 期刊论文 ADVANCED MATERIALS, 2017, 卷号: 29, 期号: 34 作者: Zhao, Qiang; Wang, Hanlin; Ni, Zhenjie; Liu, Jie; Zhen, Yonggang 收藏 \| 浏览/下载：32/0 \| 提交时间：2018/05/25 Ferroelectrics Memory Devices Organic Electronics Organic Field-effect Transistors

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