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The van der Waals Epitaxy of High-Quality N-Polar Gallium Nitride for High-Response Ultraviolet Photodetectors with Polarization Electric Field Modulation
期刊论文
Advanced Electronic Materials, 2022, 卷号: 8, 期号: 1, 页码: 11
作者:
Y. Chen
;
Z. M. Shi
;
S. L. Zhang
;
J. W. Ben
;
K. Jiang
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2022/06/13
Van der Waals Epitaxy of c-Oriented Wurtzite AlGaN on Polycrystalline Mo Substrates for Enhanced Heat Dissipation
期刊论文
Acs Applied Materials & Interfaces, 2022, 卷号: 14, 期号: 33, 页码: 37947-37957
作者:
Y. Chen
;
H. Zang
;
S. L. Zhang
;
Z. M. Shi
;
J. W. Ben
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浏览/下载:1/0
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提交时间:2023/06/14
Stabilization of thick, rhombohedral Hf0.5Zr0.5O2 epilayer on c-plane ZnO
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2021, 卷号: 119, 期号: 17, 页码: 172904
作者:
Zheng, Maoyuan
;
Yin, Zhigang
;
Cheng, Yong
;
Zhang, Xingwang
;
Wu, Jinliang
;
Qi, Jing
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2022/03/28
Improved performance of SiC radiation detectors due to optimized ohmic contact electrode by graphene insertion
期刊论文
Diamond and Related Materials, 2021, 卷号: 115
作者:
Y. Jia
;
X. Sun
;
Z. Shi
;
K. Jiang
;
T. Wu
收藏
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2022/06/13
The effect of dislocation-related V-shaped pits preparation on the strain of AlN templates
期刊论文
Thin Solid Films, 2021, 卷号: 730
作者:
X. Zhou
;
Y. Chen
;
Z. Zhang
;
G. Miao
;
H. Jiang
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2022/06/13
2000 PPI silicon-based AlGaInP red micro-LED arrays fabricated via wafer bonding and epilayer lift-off
期刊论文
Optics Express, 2021, 卷号: 29, 期号: 13, 页码: 20217-20228
作者:
Y. Zhao
;
J. Liang
;
Q. Zeng
;
Y. Li
;
P. Li
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2022/06/13
Three-dimensional metal-semiconductor-metal bipolar ultraviolet phototransistor based on GaN p-i-n epilayer
期刊论文
Applied Physics Letters, 2021, 卷号: 119, 期号: 16
作者:
K. Jiang
收藏
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2022/06/13
Three-dimensional metal semiconductor meta bipolar ultraviolet phototransistor based on GaN p-i-n epilayer
期刊论文
Applied Physics Letters, 2021, 卷号: 119, 期号: 16, 页码: 6
作者:
K. Jiang
;
X. J. Sun
;
Y. X. Chen
;
S. L. Zhang
;
J. W. Ben
收藏
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浏览/下载:0/0
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提交时间:2023/06/14
Flexible graphene-assisted van der Waals epitaxy growth of crack-free AlN epilayer on SiC by lattice engineering
期刊论文
APPLIED SURFACE SCIENCE, 2020, 卷号: 520, 页码: 146358
作者:
Yunyu Wang
;
Shenyuan Yang
;
Hongliang Chang
;
Weijiang Li
;
Xiufang Chend
;
Rui Hou
;
Jianchang Yan
;
Xiaoyan Yi
;
Junxi Wang
;
Tongbo Wei
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2021/06/28
Lattice disorder and N elemental segregation in ion implanted GaN epilayer
期刊论文
APPLIED SURFACE SCIENCE, 2020, 卷号: 499, 页码: 9
作者:
Li, B. S.
;
Liu, H. P.
;
Xu, L. J.
;
Wang, J.
;
Song, J.
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2022/01/19
He implantation
Lattice disorder
GaN
Transmission electron microscopy
Dislocation loops
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