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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Point defects in group III nitrides: A comparative first-principles study 期刊论文 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2019, 卷号: 125 作者:  Gao, Yinlu;  Sun, Dan;  Jiang, Xue;  Zhao, Jijun 收藏  |  浏览/下载：81/0  |  提交时间：2019/12/02 Aluminum nitride  Binary alloys  Calculations  Density functional theory  Energy gap  Gallium nitride  III-V semiconductors  Nitrides  Point defects  Semiconductor devices  Semiconductor doping  Time varying systems, Defect configurations  Diffusion properties  Donor and acceptor  First-principles study  Migration barriers  Native point defects  Self-compensation effects  Wide-bandgap semiconductor devices, Wide band gap semiconductors   Defect Self-Compensation for High-Mobility Bilayer InGaZnO/In2O3 Thin-Film Transistor 期刊论文 ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS, 2019, 卷号: 5, 期号: 6 作者:  He, Jiawei;  Li, Guoli;  Lv, Yawei;  Wang, Chunlan;  Liu, Chuansheng 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2019/12/05 amorphous oxide semiconductor  bilayer stack  defect self-compensation  high mobility  thin-film transistor   Defect Self-Compensation for High-Mobility Bilayer InGaZnO/In2O3 Thin-Film Transistor 期刊论文 Advanced Electronic Materials, 2019, 卷号: 5, 期号: 6 作者:  He, Jiawei;  Li, Guoli;  Lv, Yawei;  Wang, Chunlan;  Liu, Chuansheng 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/12/05 Defect Self-Compensation for High-Mobility Bilayer InGaZnO/In2O3 Thin-Film Transistor 期刊论文 ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS, 2019, 卷号: Vol.5 No.6 作者:  He, JW;  Li, GL;  Lv, YW;  Wang, CL;  Liu, CS 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/17 amorphous oxide semiconductor  bilayer stack  defect self-compensation  high mobility  thin-film transistor   Point defects: key issues for -oxides wide-bandgap semiconductors development 期刊论文 Wuli Xuebao/Acta Physica Sinica, 2019, 卷号: 68, 期号: 16 作者:  X.-H.Xie;  B.-H.Li;  Z.-Z.Zhang;  L.Liu;  K.-W.Liu 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2020/08/24 Wide band gap semiconductors,Arc lamps,Beryllia,Binding energy,Doping (additives),Electroluminescence,Energy gap,II-VI semiconductors,Ionization of gases,Ionization potential,Magnesia,Magnetic semiconductors,Point defects,Semiconductor doping,Semiconductor lasers,Semiconductor quantum wells,Ultraviolet lasers,Zinc oxide   声子晶体点缺陷模式及其传感特性研究 学位论文 博士: 中国科学院大学, 2015 作者:  李鹏 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2016/04/11 声子晶体  点缺陷  品质因数  模式选择  电极设计  温度补偿   Optical and Electrical Properties of GaN.Mg Grown by MOCVD 期刊论文 半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 1, 页码: 29-32 作者:  Zhang Shuming 收藏  |  浏览/下载：138/36  |  提交时间：2010/11/23