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Effects of Surface Size and Shape of Evaporation Area on SiC Single-Crystal Growth Using the PVT Method
期刊论文
CRYSTALS, 2024, 卷号: 14, 期号: 2, 页码: 11
作者:
Zhang, Yu
;
Wen, Xin
;
Chen, Nuofu
;
Zhang, Fang
;
Chen, Jikun
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2024/04/02
numerical simulation
SiC
single crystal growth
heat transfer
fluid flow
Molecular dynamics simulation of the amorphous graphite-like membrane deposited on ideal graphite substrate
期刊论文
RSC ADVANCES, 2023, 卷号: 13
作者:
Cao, Xiaoguo
;
Li, Dongcai
;
Hong, Zhiwei
;
Zhang, Fengjun
;
Zhang, Xinjun
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2023/11/17
Growth Anisotropy and Morphology Evolution of Line Defects in Monolayer MoS
2
: Atomic-Level Observation, Large-Scale Statistics, and Mechanism Understanding
期刊论文
SMALL, 2023, 页码: 11
作者:
Li, Shouheng
;
Lin JG(林金国)
;
Chen, Yun
;
Luo, Zheng
;
Cheng, Haifeng
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2023/10/23
2D materials
AC-transmission electron microscopy (TEM)
growth anisotropy
line defects
morphology
MoS2
Controlled Growth of Wafer-Scale Transition Metal Dichalcogenides with a Vertical Composition Gradient for Artificial Synapses with High Linearity
期刊论文
ACS NANO, 2022, 卷号: 16, 期号: 8, 页码: 12318-12327
作者:
Tang, Lei
;
Teng, Changjiu
;
Xu, Runzhang
;
Zhang, Zehao
;
Khan, Usman
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2022/10/08
vertical composition gradient
transition metal dichalcogenides
chemical vapor deposition
wafer-scale
artificial synapses
device array
linearity
Large-area transfer of two-dimensional materials free of cracks, contamination and wrinkles via controllable conformal contact
期刊论文
NATURE COMMUNICATIONS, 2022, 卷号: 13, 期号: 1, 页码: 10
作者:
Zhao, Yixuan
;
Song, Yuqing
;
Hu, Zhaoning
;
Wang, Wendong
;
Chang, Zhenghua
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浏览/下载:45/0
  |  
提交时间:2022/09/16
A study on repeatable and universal growth morphology optimization for nanowires grown on Si substrates
期刊论文
Vacuum, 2022, 卷号: 201
作者:
Wang, Xiaoye
;
Bai, Xue
;
Yang, Xiaoguang
;
Du, Wenna
;
Yang, Tao
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2022/06/20
Crystal defects
Gallium alloys
III-V semiconductors
Indium alloys
Metallorganic chemical vapor deposition
Morphology
Nanowires
Semiconducting indium gallium arsenide
Semiconductor alloys
Silicon
Substrates
Growth morphology
High-temperature annealing
Inas nanowire
Metal-organic chemical vapour depositions
Optimisations
Parasitic island
Parasitics
Si substrates
Substrate surface
Treatment methods
Solid supported ruthenium catalyst for growing single-walled carbon nanotubes with narrow chirality distribution
期刊论文
CARBON, 2022, 卷号: 193, 页码: 35-41
作者:
Zhang, Xueting
;
Qian, Liu
;
Yao, Xiaojing
;
Zhang, Lili
;
Wu, Qianru
收藏
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浏览/下载:29/0
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提交时间:2022/07/14
Single-walled carbon nanotubes
Ruthenium catalyst
Selective growth
Chemical vapor deposition
Engineering Graphene Grain Boundaries for Plasmonic Multi-Excitation and Hotspots
期刊论文
ACS NANO, 2022, 卷号: 16, 期号: 6, 页码: 9041-9048
作者:
Ma, Teng
;
Yao, Baicheng
;
Zheng, Zebo
;
Liu, Zhibo
;
Ma, Wei
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浏览/下载:41/0
  |  
提交时间:2022/09/16
graphene
chemical vapor deposition
grain boundary
plasmonics
co-excitation
hotspots
Engineering Graphene Grain Boundaries for Plasmonic Multi-Excitation and Hotspots
期刊论文
ACS NANO, 2022, 卷号: 16, 期号: 6, 页码: 9041-9048
作者:
Ma, Teng
;
Yao, Baicheng
;
Zheng, Zebo
;
Liu, Zhibo
;
Ma, Wei
收藏
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浏览/下载:16/0
  |  
提交时间:2022/09/16
graphene
chemical vapor deposition
grain boundary
plasmonics
co-excitation
hotspots
Slip-Line-Guided Growth of Graphene
期刊论文
ADVANCED MATERIALS, 2022, 页码: 8
作者:
Li, Yanglizhi
;
Liu, Haiyang
;
Chang, Zhenghua
;
Li, Haoxiang
;
Wang, Shenxing
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浏览/下载:30/0
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提交时间:2022/07/18
epitaxial growth
grain-boundary engineering
graphene
slip line
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