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	Verification of SEU resistance in 65 nm high-performance SRAM with dual DICE interleaving and EDAC mitigation strategies 期刊论文 NUCLEAR SCIENCE AND TECHNIQUES, 2021, 卷号: 32, 期号: 12, 页码: 13 作者: He, Ze; Zhao, Shi-Wei; Liu, Tian-Qi; Cai, Chang; Yan, Xiao-Yu 收藏 \| 浏览/下载：64/0 \| 提交时间：2022/01/12 Double interlocked storage cell (DICE) Error detection and correction (EDAC) code Heavy ion Radiation hardening technology Single event upset (SEU) Static random-access memory (SRAM)
	Impact of heavy ion energy and species on single-event upset in commercial floating gate cells 期刊论文 MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2021, 卷号: 120, 页码: 6 作者: Ye, Bing; Mo, Li-Hua; Zhai, Peng-Fei; Cai, Li; Liu, Tao 收藏 \| 浏览/下载：40/0 \| 提交时间：2021/12/09 Flash memories Linear energy transfer Single-event upset Heavy ions Geant4
	Neutron-induced single event upset simulation in Geant4 for three-dimensional die-stacked SRAM* 期刊论文 CHINESE PHYSICS B, 2021, 卷号: 30, 期号: 3, 页码: 8 作者: Mo, Li-Hua; Ye, Bing; Liu, Jie; Luo, Jie; Sun, You-Mei 收藏 \| 浏览/下载：33/0 \| 提交时间：2021/12/10 neutron three-dimension ICs single event upset multi-bit upset Geant4
	Influence of Orbital Parameters on SEU Rate of Low-Energy Proton in Nano-SRAM Device 期刊论文 SYMMETRY-BASEL, 2020, 卷号: 12, 期号: 12, 页码: 10 作者: Ye, Bing; Mo, Li-Hua; Liu, Tao; Sun, You-Mei; Liu, Jie 收藏 \| 浏览/下载：13/0 \| 提交时间：2021/12/13 SRAM single-event upset on-orbit error rate low-energy proton
	Multiple Layout-Hardening Comparison of SEU-Mitigated Filp-Flops in 22-nm UTBB FD-SOI Technology 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2020, 卷号: 67, 期号: 1, 页码: 374-381 作者: Cai, Chang; Liu, Tianqi; Zhao, Peixiong; Fan, Xue; Huang, Hongyang 收藏 \| 浏览/下载：22/0 \| 提交时间：2022/01/19 D filp-flops (DFFs) heavy ions radiation hardening single-event upsets (SEUs) ultrathin body and buried oxide fully depleted silicon on insulator (UTBB FDSOI)
	SEE Sensitivity Evaluation for Commercial 16 nm SRAM-FPGA 期刊论文 ELECTRONICS, 2019, 卷号: 8, 期号: 12, 页码: 12 作者: Cai, Chang; Gao, Shuai; Zhao, Peixiong; Yu, Jian; Zhao, Kai 收藏 \| 浏览/下载：38/0 \| 提交时间：2022/01/19 field-programmable gate arrays embedded block memory single event fault tolerance radiation effect
	Heavy-ion induced radiation effects in 50 nm NAND floating gate flash memories 期刊论文 MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2019, 卷号: 102, 页码: 6 作者: Yin, Ya-nan; Liu, Jie; Liu, Tian-qi; Ye, Bing; Ji, Qing-gang 收藏 \| 浏览/下载：8/0 \| 提交时间：2022/01/19 Annealing Flash memories Heavy ions Retention errors Single event upset
	SEU tolerance improvement in 22 nm UTBB FDSOI SRAM based on a simple 8T hardened cell 期刊论文 MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2019, 卷号: 100, 页码: 6 作者: Cai, C.; Zhao, P. X.; Xu, L. W.; Liu, T. Q.; Li, D. Q. 收藏 \| 浏览/下载：16/0 \| 提交时间：2022/01/19 UTBB FDSOI Radiation hardened 8T SRAM Single event upset
	Total Ionizing Dose Influence on the Single-Event Multiple-Cell Upsets in 65-nm 6-T SRAM 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2019, 卷号: 66, 期号: 6, 页码: 892-898 作者: Zheng, Qiwen; Cui, Jiangwei; Lu, Wu; Guo, Hongxia; Liu, Jie 收藏 \| 浏览/下载：74/0 \| 提交时间：2019/11/10 Single-event multiple-cell upsets (MCUs) static random access memory total ionizing dose (TID)
	Heavy-Ion Induced Single Event Upsets in Advanced 65 nm Radiation Hardened FPGAs 期刊论文 ELECTRONICS, 2019, 卷号: 8, 期号: 3, 页码: 13 作者: Ke, Lingyun; Zhao, Peixiong; Liu, Jie; Fan, Xue; Cai, Chang 收藏 \| 浏览/下载：108/0 \| 提交时间：2019/11/10 FPGA radiation hardening single event upsets heavy ions error rates

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