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First-principles Study of Doped (Silicon, Germanium, Tin) Single-wall Carbon Nanotubes
期刊论文
Cailiao Daobao/Materials Reports, 2022, 卷号: 36, 期号: 9
作者:
Lu, Xuefeng
;
Wang, Kuan
;
Cui, Zhihong
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浏览/下载:31/0
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提交时间:2022/06/20
Absorption spectroscopy
Atoms
Calculations
Semiconductor doping
Single-walled carbon nanotubes (SWCN)
Solar cells
Doped silicon
Doped systems
Electronic.structure
First principles
First-principle study
Germanium tins
Silicon germaniums (SiGe)
Single Wall
Single-wall carbon nanotube
Sn-doped
Resonant cavity strained Group III-V photodetector and LED on silicon substrate and method to fabricate same
专利
专利号: US10135226, 申请日期: 2018-11-20, 公开日期: 2018-11-20
作者:
CHENG, CHENG-WEI
;
LEOBANDUNG, EFFENDI
;
LI, NING
;
SADANA, DEVENDRA K.
;
SHIU, KUEN-TING
收藏
  |  
浏览/下载:14/0
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提交时间:2019/12/24
Microstructure and Thermoelectric Properties of p-type Si80Ge20B0.6-SiC Nanocomposite
期刊论文
JOURNAL OF INORGANIC MATERIALS, 2016, 卷号: 31, 期号: 9, 页码: 997-1003
作者:
Yang Xiao-Yan
;
Wu Jie-Hua
;
Ren Du-Di
;
Zhang Tian-Song
;
Chen Li-Dong
收藏
  |  
浏览/下载:21/0
  |  
提交时间:2017/02/27
SiGe alloys
SiC nanoparticle dispersion
thermoelectric material
nanocomposite
nanostructuring
Fabrication and contact resistivity of W-Si3N4/TiB2-Si3N4/p-SiGe thermoelectric joints
期刊论文
CERAMICS INTERNATIONAL, 2016, 卷号: 42, 期号: 7, 页码: 8044-8050
作者:
Yang, X. Y.
;
Wu, J. H.
;
Gu, M.
;
Xia, X. G.
;
Chen, L. D.
收藏
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2017/02/27
SiGe
Joint
Interfacial stability
Contact resistivity
Study of PIN electrical modulation structure based on SiGe-OI material
会议论文
International Conference on Photonics and Optical Engineering (icPOE), Xian, PEOPLES R CHINA, 2014-10-13
作者:
Feng, Song
;
Jiang, Ren-Ke
;
Gao, Yong
收藏
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2019/12/20
Optoelectronic devices
electrical modulation
SiGe-OI
PIN structure
carrier concentration
Investigation of optical and material properties of Si/SiGe/Si heterostructures by using spectroscopic ellipsometry and a variety of characterizations
会议论文
osa topical conference:the 4th advances in optoelectronics and micro/nano-optics, xi’an, china, 2014-09
作者:
Deng Xie
;
Zhi Ren Qiu
;
Ting Mei
;
Chee Wee Liu
;
Zhe Chuan Feng
收藏
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2015/05/22
Optimization of SiGe selective epitaxy for source/drain engineering
期刊论文
Journal of Applied Physics, 2013
作者:
M.Kolahdouz
;
Wang GL(王桂磊)
;
M.Moeen
;
A.Abedin
;
Luo J(罗军)
收藏
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2014/10/30
Simulation of Band-to-Band Tunneling in Si/Ge and Si/Si1-xGex Heterojunctions by Using Monte Carlo Method
其他
2012-01-01
Wei, Kangliang
;
Zeng, Lang
;
Wang, Juncheng
;
Peng, Yahua
;
Du, Gang
;
Liu, Xiaoyan
收藏
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2015/11/13
Simulation of band-to-band tunneling in Si/Ge and Si/Si 1-xGex heterojunctions by using Monte Carlo method
其他
2012-01-01
Wei, Kangliang
;
Zeng, Lang
;
Wang, Juncheng
;
Peng, Yahua
;
Du, Gang
;
Liu, Xiaoyan
收藏
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2015/11/13
Si基Ge材料的外延生长、原位掺杂及其光电性质
学位论文
2012, 2012
陈城钊
收藏
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2016/02/14
低温锗缓冲层技术
SiGe/Ge 超晶格
原位掺杂
Si 基Ge PN结
Low temperature buffer technique
trained layer superlattices(SLSs)
in situ doping
Si-based Ge PN junction
SOI-based Ge PIN structure
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