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Oxygen vacancies and local amorphization introduced by high fluence neutron irradiation in β-Ga2O3 power diodes 期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2023, 卷号: 123
作者:  Liu, Jinyang;  Han, Zhao;  Ren, Lei;  Yang, Xiao;  Xu, Guangwei
收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2023/11/10
Recrystallization effects in GeV Bi ion implanted 4H-SiC Schottky barrier diode investigated by cross-sectional Micro-Raman spectroscopy 期刊论文
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2020, 卷号: 478, 页码: 5-10
作者:  Huang, Mingmin;  Yang, Zhimei;  Wang, Shaomin;  Liu, Jiyuan;  Gong, Min
收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2021/12/15
Achieving high performance Ga2O3 diodes by adjusting chemical composition of tin oxide Schottky electrode 期刊论文
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2019, 卷号: 34, 期号: 7
作者:  Du, Lulu;  Xin, Qian;  Xu, Mingsheng;  Liu, Yaxuan;  Liang, Guangda
收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/12/11
High-Performance Ga2O3 Diode Based on Tin Oxide Schottky Contact 期刊论文
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2019, 卷号: 40, 期号: 3, 页码: 451-454
作者:  Du, Lulu;  Xin, Qian;  Xu, Mingsheng;  Liu, Yaxuan;  Mu, Wenxiang
收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/12/11
Impacts of growth orientation and N incorporation on the interface-states and the electrical characteristics of Cu/GaAsN Schottky barrier diodes 期刊论文
Physica B: Condensed Matter, 2017, 卷号: 527, 页码: 52-56
作者:  Li J(李健);  Han XX(韩修训);  Gao, Xin;  Yoshio Ohshita;  Han XX(韩修训)
收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2017/12/18
Determination of the series resistance under the Schottky contacts of AlGaN/AlN/GaN Schottky barrier diodes 期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2012, 卷号: 21, 期号: 1
Cao, ZF; Lin, ZJ; Lu, YJ; Luan, CB; Yu, YX; Chen, H; Wang, ZG
收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2013/09/17
掺Mo对NiSi薄膜热稳定性的改善 期刊论文
物理学报, 2005
黄伟; 张利春; 高玉芝; 金海岩
收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2015/11/11
Homoepitaxial Growth of 4H-SiC and Ti/4H-SiC SBDs 期刊论文
人工晶体学报, 2005, 卷号: 34, 期号: 6, 页码: 1006-1010
作者:  NING Jin;  LIU Xingfang
收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2010/11/23
Ti Schottky barrier diodes on n-type 6H-SiC 会议论文
6th international conference on solid-state and integrated-circuit technology, shanghai, peoples r china, oct 22-25, 2001
作者:  Yu F
收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2010/10/29
EFFECTS OF HYDROGEN ON THE SCHOTTKY-BARRIER OF TI/N-GAAS DIODES 期刊论文
Journal of Applied Physics, 1992, 卷号: 71, 期号: 1, 页码: 536-538
S. X. Jin; L. P. Wang; M. H. Yuan; J. J. Chen; Y. Q. Jia; G. G. Qin
收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2012/04/14

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