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	High-Performance Ga2O3 Diode Based on Tin Oxide Schottky Contact
	Du, Lulu; Xin, Qian; Xu, Mingsheng; Liu, Yaxuan; Mu, Wenxiang; Yan, Shiqi; Wang, Xinyu; Xin, Gongming; Jia, Zhitai; Tao, Xu-Tang
刊名	IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS
	2019
卷号	40期号:3页码:451-454
关键词	Ga2O3 Schottky barrier diodes (SBDs) tin oxide (SnOx)
DOI	10.1109/LED.2019.2893633
URL标识	查看原文
公开日期	[db:dc_date_available]
内容类型	期刊论文
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/4531220
专题	山东大学
作者单位	1.Shandong Univ, Ctr Nanoelect, Jinan 250100, Peoples R China. 2.[Du, Lulu
推荐引用方式 GB/T 7714	Du, Lulu,Xin, Qian,Xu, Mingsheng,et al. High-Performance Ga2O3 Diode Based on Tin Oxide Schottky Contact[J]. IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS,2019,40(3):451-454.
APA	Du, Lulu.,Xin, Qian.,Xu, Mingsheng.,Liu, Yaxuan.,Mu, Wenxiang.,...&Geng D.(2019).High-Performance Ga2O3 Diode Based on Tin Oxide Schottky Contact.IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS,40(3),451-454.
MLA	Du, Lulu,et al."High-Performance Ga2O3 Diode Based on Tin Oxide Schottky Contact".IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS 40.3(2019):451-454.

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