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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Single event upset sensitivity of 45 nm FDSOI and SOI FinFET SRAM 期刊论文 SCIENCE CHINA-TECHNOLOGICAL SCIENCES, 2013, 卷号: 56, 期号: [db:dc_citation_issue], 页码: 780-785 作者:  Tang Du;  Li YongHong;  Zhang GuoHe;  He ChaoHui;  Fan YunYun 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/12/03 SOI FinFET SRAM  single event upset sensitivity  FDSOI SRAM