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2016 [1]
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On the Manipulation of Phosphorus Diffusion as Well as the Reduction of Specific Contact Resistivity in Ge by Carbon Co-Doping
期刊论文
ECS Transactions, 2016
作者:
Luo J(罗军)
;
Liu JB(刘金彪)
;
Eddy Simoen
;
Wang GL(王桂磊)
;
Mao SJ(毛淑娟)
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提交时间:2017/05/09
合金条件对Al/n~+-Ge欧姆接触的影响
期刊论文
2013
林旺
;
阮育娇
;
陈松岩
;
李成
;
赖虹凯
;
汤丁亮
收藏
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2016/05/17
Al/n+-Ge接触
离子注入
退火
圆形传输线模型(CTLM)
接触电阻率
Al/n+-Ge contact
ion implantation
annealing
circular transmission line model(CTLM)
contact resistivity
绝缘层上Ge (GOI)材料及Si基Ge波导型探测器研究
学位论文
2013, 2013
阮育娇
收藏
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2016/01/13
Germanium on Insulator
Wafer bonding
Smart-cut
Phosphorus implantation doping in Ge
Ohmic contact formation on n-type Ge
Ge waveguide photodetector
GOI材料
晶片键合
智能剥离
Ge中磷的注入掺杂
n-Ge的欧姆接触
Ge波导型探测器
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