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学位论文 [3]
发表日期
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Improving Negative-Bias-Temperature-Stress Stability for Thin-Film Transistors by Doping Mg Into ScInO Semiconductor
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2019, 卷号: 66, 期号: 6, 页码: 2620-2623
作者:
Lan, Linfeng
;
Dai, Xingqiang
;
He, Changchun
;
Liu, Lu
;
Yang, Xiaobao
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浏览/下载:48/0
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提交时间:2019/12/18
INSTABILITY
A Fast Vth Measurement Technique for NBTI Behavior Characterization.
期刊论文
IEEE Electron Device Letters, 2018, 卷号: Vol.39 No.2, 页码: 172-175
作者:
Yu, Xiao
;
Cheng, Ran
;
Liu, Wei
;
Qu, Yiming
;
Han, Jinghui
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  |  
浏览/下载:6/0
  |  
提交时间:2019/12/26
Logic gates
NBTI
Negative bias temperature instability
pFinFETs
reliability
Stress
Stress measurement
Thermal variables control
Time measurement
trapping
ultra-fast measurement
Voltage measurement
A Fast Vth Measurement (FVM) Technique for NBTI Behavior Characterization
期刊论文
IEEE Electron Device Letters, 2018, 卷号: Vol.39 No.2, 页码: 172-175
作者:
Xiao Yu
;
Ran Cheng
;
Wei Liu
;
Yiming Qu
;
Jinghui Han
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  |  
浏览/下载:3/0
  |  
提交时间:2019/12/26
Voltage
measurement
Stress
Negative
bias
temperature
instability
Thermal
variables
control
Logic
gates
Stress
measurement
Time
measurement
pFinFETs
reliability
NBTI
ultra-fast
measurement
trapping
A Fast $V_{th}$ Measurement (FVM) Technique for NBTI Behavior Characterization
期刊论文
IEEE Electron Device Letters, 2018, 卷号: Vol.39 No.2, 页码: 172-175
作者:
Yu, X
;
Cheng, R
;
Liu, W
;
Qu, YM
;
Han, JH
收藏
  |  
浏览/下载:9/0
  |  
提交时间:2019/12/26
Voltage
measurement
Stress
Negative
bias
temperature
instability
Thermal
variables
control
Logic
gates
Stress
measurement
Time
measurement
pFinFETs
reliability
NBTI
ultra-fast
measurement
trapping
星用纳米MOS器件的总剂量辐射效应与NBTI效应研究
学位论文
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2016
作者:
余德昭
收藏
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浏览/下载:33/0
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提交时间:2016/09/27
MOSFET
辐射效应
NBTI
可靠性
星用纳米MOS器件的总剂量辐射效应与NBTI效应研究
学位论文
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2016
作者:
余德昭
收藏
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2016/09/27
Mosfet
辐射效应
Nbti
可靠性
Effect of SiO2 Buffer Layer Thickness on Performance and Reliability of Flexible Polycrystalline Silicon TFTs Fabricated on Polyimide
期刊论文
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2016
Chen, Bo-Wei
;
Chang, Ting-Chang
;
Hung, Yu-Ju
;
Huang, Shin-Ping
;
Chen, Hua-Mao
;
Huang, Hui-Chun
;
Liao, Po-Yung
;
Chiang, Hsiao-Cheng
;
Zheng, Yu-Zhe
;
Yeh, Wei-Heng
;
Lin, Yu-Ho
;
Liang, Jonathan Siher
;
Chu, Ann-Kuo
;
Li, Hung-Wei
;
Tsai, Chih-Hung
;
Lu, Hsueh-Hsing
收藏
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2017/12/03
Flexible electronics
LTPS TFTs
ELA crystallization
thermal expansion stress
THIN-FILM TRANSISTORS
BIAS TEMPERATURE INSTABILITY
NBTI DEGRADATION
On the Assessment of End-of-Life Variability induced by Stochastic NBTI in Nanoscale MOSFETs Accompanying Conspicuous RTN
其他
2016-01-01
Tao Sun
;
Runsheng Wang
;
Pengpeng Ren
;
Xiaobo Jiang
;
Ru Huang
收藏
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2017/12/03
eliminating
difficulty
instability
stepping
narrow
precisely
fitting
eliminate
transformed
ascending
eliminating
difficulty
instability
stepping
narrow
precisely
fitting
eliminate
transformed
ascending
Energy distribution extraction of negative charges responsible for positive bias temperature instability
期刊论文
Chinese Physics B, 2015
作者:
Wang WW(王文武)
;
Ren SQ(任尚清)
收藏
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2016/05/31
Threshold Voltage Shift Effect of a-Si:H TFTs Under Bipolar Pulse Bias
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2015
Hu, Zhijin
;
Wang, Lisa Ling
;
Liao, Congwei
;
Zeng, Limei
;
Lee, Chang-Yeh
;
Lien, Alan
;
Zhang, Shengdong
收藏
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2017/12/03
Amorphous silicon
bipolar pulse bias stress (BPBS)
thin-film transistor (TFT)
threshold voltage shift (Delta V-TH)
unipolar pulse bias stress (UPBS)
THIN-FILM TRANSISTORS
HYDROGENATED AMORPHOUS-SILICON
INSTABILITY MECHANISMS
ELECTRIC-FIELDS
CONDUCTION
NITRIDE
STRESS
DEPENDENCE
MODEL
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