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An electrically switchable anti-ferroelectric bilayer In2Se3 based opto-spintronic device
期刊论文
NANOSCALE, 2021
作者:
Yang, Yaqing
;
Zhang, Liwen
;
Chen, Jun
;
Zheng, Xiaohong
;
Zhang, Lei
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浏览/下载:41/0
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提交时间:2021/05/31
Using Single-Layer HfS2 as Prospective Sensing Device Toward Typical Partial Discharge Gas in SF6-Based Gas-Insulated Switchgear
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2019, 卷号: 66, 期号: 1
作者:
Chen, Dachang
;
Zhang, Xiaoxing
;
Tang, Ju
;
Li, Yi
;
Cui, Zhaolun
收藏
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浏览/下载:9/0
  |  
提交时间:2019/12/05
Density functional theory
gas sensor
nonequilibrium Green's function (NEGF)
SF6 decomposed products
single-layer HfS2
Exploring the Designs of p-Type Piezoelectric FinFETs Based on NEGF Transport Simulations Comprising Phonon Scattering
期刊论文
IEEE Transactions on Electron Devices, 2019, 卷号: 66, 期号: 11, 页码: 4982-4988
作者:
Yuxiong Long
;
Jun Z. Huang
;
Qianqian Huang
;
Member,IEEE
;
Nuo Xu
;
Member,IEEE
;
Xiangwei Jiang
;
Member,IEEE
;
Zhi-Chuan Niu
;
David Esseni
;
Fellow,IEEE
;
Ru Huang
;
Fellow,IEEE
;
Shu-Shen Li
收藏
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浏览/下载:27/0
  |  
提交时间:2020/07/30
Exploring the Designs of p-Type Piezoelectric FinFETs Based on NEGF Transport Simulations Comprising Phonon Scattering
期刊论文
IEEE Transactions on Electron Devices, 2019, 卷号: 66, 期号: 11, 页码: 4982-4988
作者:
Yuxiong Long
;
Jun Z. Huang
;
Qianqian Huang
;
Member,IEEE
;
Nuo Xu
;
Member,IEEE
;
Xiangwei Jiang
;
Member,IEEE
;
Zhi-Chuan Niu
;
David Esseni
;
Fellow,IEEE
;
Ru Huang
;
Fellow,IEEE
;
Shu-Shen Li
收藏
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浏览/下载:12/0
  |  
提交时间:2020/07/30
Electrical Properties of MoS2-Au Contact Based on the First Principle Study
会议论文
作者:
Wu, Gengshu
;
Lou, Haijun
;
Lin, Xinnan
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2019/11/15
Metal/molybdenum disulphide (MoS2) contacts
Schottky harrier height (SBH)
ab initio
High-k Spacer Consideration of Ultrascaled Gate-All-Around Junctionless Transistor in Ballistic Regime
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2018, 卷号: 65, 期号: 12, 页码: 5282-5288
作者:
Yang, Yumei
;
Lou, Haijun
;
Lin, Xinnan
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2019/11/15
High-k spacer
junctionless
nonequilibrium Green function (NEGF)
quantum simulator
Transparency Engineering in Quantum Dot-Based Memories
期刊论文
Physica Status Solidi a-Applications and Materials Science, 2018, 卷号: 215, 期号: 13, 页码: 7
作者:
Arikan, I. F.
;
Cottet, N.
;
Nowozin, T.
;
Bimberg, D.
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浏览/下载:1/0
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提交时间:2019/09/17
band engineering
memory
quantum dots
resonant tunnel
resonant-tunneling current
dependence
Materials Science
Physics
Perfect spin and valley polarized quantum transport in twisted SiC nanoribbons
期刊论文
2D Materials, 2017, 卷号: 4
作者:
Zheng,Xiaohong
;
Chen,Xiaobin
;
Zhang,Lei
;
Xiao,Liantuan
;
Jia,Suotang
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2020/10/21
spin polarization
valley polarization
electron transport
DFT-NEGF
SiC nanoribbon
half-metallicity
A two-dimensional van der Waals CdS/germanene heterojunction with promising electronic and optoelectronic properties: DFT plus NEGF investigations
期刊论文
2017, 卷号: 19, 页码: 18330-18337
作者:
Zheng, K.[1,2]
;
Yang, Q.[1,2,3]
;
Tan, C. J.[1,2]
;
Ye, H. Y.[1,2]
;
Chen, X. P.[1,2,3]
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2019/11/28
A two-dimensional van der Waals CdS/germanene heterojunction with promising electronic and optoelectronic properties: DFT + NEGF investigations.
期刊论文
2017, 卷号: 19
作者:
Zheng, K[1]
;
Yang, Q
;
Tan, C J
;
Ye, H Y
;
Chen, X P
收藏
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2019/11/29
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