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Anisotropic transport properties of zinc-blend ZnTe/CrTe heterogeneous junction nanodevices
期刊论文
Journal of Applied Physics, 2012, 卷号: 112, 期号: 10
W. Yao
;
K. L. Yao
;
G. Y. Gao
;
S. C. Zhu
;
H. H. Fu
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2013/02/05
half-metallic ferromagnets
molecular-beam epitaxy
room-temperature
spintronics
magnetoresistance
semiconductors
Optimization of vi/ii pressure ratio in znte growth on gaas(001) by molecular beam epitaxy
期刊论文
Applied surface science, 2010, 卷号: 256, 期号: 22, 页码: 6881-6886
作者:
Zhao, Jie
;
Zeng, Yiping
;
Liu, Chao
;
Cui, Lijie
;
Li, Yanbo
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2019/05/12
Znte
Molecular beam epitaxy
Reflection high-energy electron diffraction
X-ray diffraction
Atomic force microscopy
Optimization of VI/II pressure ratio in ZnTe growth on GaAs(001) by molecular beam epitaxy
期刊论文
applied surface science, 2010, 卷号: 256, 期号: 22, 页码: 6881-6886
Zhao J (Zhao Jie)
;
Zeng YP (Zeng Yiping)
;
Liu C (Liu Chao)
;
Cui LJ (Cui Lijie)
;
Li YB (Li Yanbo)
收藏
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浏览/下载:158/17
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提交时间:2010/07/05
ZnTe
Molecular beam epitaxy
Reflection high-energy electron diffraction
X-ray diffraction
Atomic force microscopy
VAPOR-PHASE EPITAXY
N-TYPE ZNTE
MBE GROWTH
100 GAAS
ZNSE
LAYERS
SURFACE
TEMPERATURE
SUBSTRATE
EPILAYERS
Ohmic contacts for p-type wide bandgap II-VI semiconductor materials
专利
专利号: US6265731, 申请日期: 2001-07-24, 公开日期: 2001-07-24
作者:
AHLGREN, WILLIAM L.
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2019/12/24
Semiconductor light emitting device and method of manufacturing same
专利
专利号: US6206962, 申请日期: 2001-03-27, 公开日期: 2001-03-27
作者:
KIJIMA, SATORU
;
OKUYAMA, HIROYUKI
收藏
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2019/12/26
Semiconductor light emitting device and method for fabricating the same
专利
专利号: US5822347, 申请日期: 1998-10-13, 公开日期: 1998-10-13
作者:
YOKOGAWA, TOSHIYA
;
YOSHII, SHIGEO
;
SASAI, YOICHI
收藏
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2019/12/24
Semiconductor metal contacting structure and a light emitting device
专利
专利号: US5471067, 申请日期: 1995-11-28, 公开日期: 1995-11-28
作者:
IKEDA, MASAO
;
ITO, SATOSHI
;
IOCHI, YOSHINO
;
MIYAJIMA, TAKAO
;
OZAWA, MASAFUMI
收藏
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2019/12/26
-
专利
专利号: JP1993054279B2, 申请日期: 1993-08-12, 公开日期: 1993-08-12
作者:
ONABE KENTARO
收藏
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2020/01/18
Semiconductor structure and semiconductor laser device
专利
专利号: JP1991179790A, 申请日期: 1991-08-05, 公开日期: 1991-08-05
作者:
KONDO MASAHIKO
收藏
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2019/12/31
Semiconductor laser element
专利
专利号: JP1991091284A, 申请日期: 1991-04-16, 公开日期: 1991-04-16
作者:
YOSHIOKA YOSHIFUMI
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浏览/下载:51/0
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提交时间:2020/01/18
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