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北京大学 [1]
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微电子研究所 [1]
内容类型
期刊论文 [2]
专利 [1]
发表日期
2010 [1]
2000 [1]
1996 [1]
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一种Mo基/TaN金属栅叠层结构的刻蚀方法
专利
申请日期: 2010-06-30,
作者:
李永亮
;
徐秋霞
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2016/09/30
400MHz,CW 300W VDMOS功率场效应晶体管
期刊论文
半导体技术, 2000, 期号: 2, 页码: 26-28
作者:
刘英坤
;
王占利
;
何玉樟
;
郎秀兰
;
张大立
收藏
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2015/04/27
高频大功率
Mo栅工艺
VDMOSFET
全离子注入自对准难熔金属氮化物复合栅GaAs MESFET技术研究
期刊论文
半导体学报, 1996
高玉芝
;
张利春
;
尹红坤
;
宁宝俊
收藏
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浏览/下载:1/0
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提交时间:2017/12/03
全离子注入
自对准难熔金属氮化物复合栅
GaAsMESFET场效应
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