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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Heavy ion irradiation induced hard error in MTJ of the MRAM memory array 期刊论文 MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2019, 卷号: 100, 页码: 7 作者:  Zhao, P. X.;  Liu, T. Q.;  Cai, C.;  Li, D. Q.;  Ji, Q. G. 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2022/01/19 MTJ damage  Heavy ion  Displacement damage  Hard bit error  Annealing effect