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Influence of gaasp insertion layers on performance of ingaasp/ingap/algaas quantum-well laser
期刊论文
Chinese physics letters, 2006, 卷号: 23, 期号: 9, 页码: 2583-2586
作者:
Cao Yu-Lian
;
Lian Peng
;
Ma Wen-Quan
;
Wang Qing
;
Wu Xu-Ming
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2019/05/12
Influence of GaAsP insertion layers on performance of InGaAsP/InGaP/AlGaAs quantum-well laser
期刊论文
chinese physics letters, 2006, 卷号: 23, 期号: 9, 页码: 2583-2586
Cao YL (Cao Yu-Lian)
;
Lian P (Lian Peng)
;
Ma WQ (Ma Wen-Quan)
;
Wang Q (Wang Qing)
;
Wu XM (Wu Xu-Ming)
;
He GR (He Guo-Rong)
;
Li H (Li Hui)
;
Wang XD (Wang Xiao-Dong)
;
Song GF (Song Guo-Feng)
;
Chen LH (Chen Liang-Hui)
收藏
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浏览/下载:67/0
  |  
提交时间:2010/04/11
VAPOR-PHASE EPITAXY
DIODE-LASERS
INTERFACE CHARACTERISTICS
GROWTH SEQUENCE
MOVPE GROWTH
LP-MOVPE
HETEROSTRUCTURES
HETEROJUNCTION
POWER
NM
A novel extremely broadband superluminescent diode based on symmetric graded tensile-strained bulk ingaas
期刊论文
Japanese journal of applied physics part 1-regular papers short notes & review papers, 2004, 卷号: 43, 期号: 4a, 页码: 1330-1331
作者:
Wang, SR
;
Wang, W
;
Liu, ZH
;
Zhu, HL
;
Zhang, RY
收藏
  |  
浏览/下载:21/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Low-pressure metalorganic vapor-phase epiyaxy (lp-movpe)
Superluminescent diodes (sld)
Graded tensile-strained ingaas
Broad spectral width
Movpe growth of grade-strained bulk ingaas/inp for broad-band optoelectronic device applications
期刊论文
Journal of crystal growth, 2004, 卷号: 260, 期号: 3-4, 页码: 464-468
作者:
Wang, SR
;
Wang, W
;
Zhu, HL
;
Zhao, LJ
;
Zhang, RY
收藏
  |  
浏览/下载:15/0
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提交时间:2019/05/12
Graded-strain
High resolution x-ray diffraction
Metalorganic vapor phase epitaxy
Ingaas
Broadband semiconductor optoelectronic device
MOVPE growth of grade-strained bulk InGaAs/InP for broad-band optoelectronic device applications
期刊论文
journal of crystal growth, 2004, 卷号: 260, 期号: 3-4, 页码: 464-468
Wang SR
;
Wang W
;
Zhu HL
;
Zhao LJ
;
Zhang RY
;
Zhou F
;
Shu HY
;
Wang RF
收藏
  |  
浏览/下载:353/108
  |  
提交时间:2010/03/09
graded-strain
A novel extremely broadband superluminescent diode based on symmetric graded tensile-strained bulk InGaAs
期刊论文
japanese journal of applied physics part 1-regular papers short notes & review papers, 2004, 卷号: 43, 期号: 4a, 页码: 1330-1331
Wang, SR
;
Wang, W
;
Liu, ZH
;
Zhu, HL
;
Zhang, RY
;
Zha, LJ
;
Zhou, F
;
Ding, Y
;
Wang, LF
收藏
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浏览/下载:310/128
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提交时间:2010/03/09
low-pressure metalorganic vapor-phase epiyaxy (LP-MOVPE)
高增益偏振不灵敏InGaAs/InP体材料半导体光放大器
期刊论文
中国激光, 2004, 卷号: 31, 期号: 11, 页码: 1381-1384
作者:
朱洪亮
;
王圩
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2010/11/23
1.78 μm Strained InGaAs-InGaAsP-InP Distributed Feedback Quantum Well Lasers
期刊论文
光电子·激光, 2004, 卷号: 15, 期号: 8, 页码: 906-909
作者:
Wang Wei
;
Zhang Jing
;
Wang Hui
;
Wang Hui
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2010/11/23
GaAs/InP异质材料及MESFET器件研究
期刊论文
2002
陈小红
;
陈松岩
;
张玉清
;
陈丽容
;
邓彩玲
;
林爱清
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2011/04/26
GaAs/InP异质材料
光致发光谱
Raman谱
金属-半导体场效应晶体管
GaAs/InP heteroepitaxy
photoluminescence
Raman
MESFET
立方相GaN外延层中堆垛层错的非对称性
期刊论文
广西大学学报. 自然科学版, 2002, 卷号: 27, 期号: 3, 页码: 252-255
沈晓明
;
渠波
;
冯志宏
;
杨辉
收藏
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2010/11/23
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