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Design and Fabrication of Color Conversion Layer Based on InP/ZnS Core-shell Quantum Dots
期刊论文
Faguang Xuebao/Chinese Journal of Luminescence, 2020, 卷号: 41, 期号: 5, 页码: 592-602
作者:
J.-X. Wang,J. Tao,J.-G. Lyu,Y. Li,Y.-Z. Zhao,P.-Y. Li,Y.-X. Qin,Y. Zhang,Z.-D. Hao,W.-B. Wang and J.-Q. Liang
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提交时间:2021/07/06
Optical semiconductor device, optical subassembly, and optical module
专利
专利号: US10312665, 申请日期: 2019-06-04, 公开日期: 2019-06-04
作者:
KITATANI, TAKESHI
;
OKAMOTO, KAORU
;
NAKAHARA, KOUJI
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2019/12/26
Trench‐Confined InP‐Based Epitaxial Regrowth Using Metal‐Organic Vapor‐Phase Epitaxy
期刊论文
PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE, 2018, 卷号: Vol.215 No.8
作者:
Carl Reuterskiöld Hedlund
;
Olof Öberg
;
Jang‐Kwon Lim
;
Qin Wang
;
Michael Salter
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2019/12/26
InP
metal‐organic
vapor‐phase
epitaxy
patterned
substrate
epitaxy
spatial
light
modulator
640x512 pixel InGaAs FPAs for short-wave infrared and visible light imaging
会议论文
作者:
Shao XM
;
Bo Y
;
Huang SL
;
Yang W
;
Li X
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浏览/下载:39/0
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提交时间:2018/11/20
Electrical and optical performances of InGaAs/GaAsSb superlattice short-wavelength infrared detectors
期刊论文
OPTICAL ENGINEERING, 2017, 卷号: 56, 期号: 5
作者:
Jin C
;
Chen JX
;
Xu QQ
;
Yu CZ
;
He L
收藏
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浏览/下载:34/0
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提交时间:2018/11/20
short-wavelength infrared
type II InGaAs/GaAsSb superlattice
quantum efficiency
absorption region thickness
Beryllium compensation doped InGaAs/GaAsSb superlattice photodiodes
会议论文
作者:
Jin C
;
Wang FF
;
Xu QQ
;
Yu CZ
;
Chen JX
收藏
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浏览/下载:27/0
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提交时间:2018/11/20
An optical nano-antenna structure of metallic ball array for enhancement of near-infrared photodetection
会议论文
作者:
Yao PF
;
Li T
;
Li X
;
Shao XM
;
Gong HM
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2018/11/20
nano-antenna
near-infrared photodectection
surface plasmon polariton
Characteristics of InP on GaAs substrate using Zn-doped Al(Ga)InAs metamorphic buffers
期刊论文
JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, 2017
作者:
He, Yang(何洋)
;
Sun, Yurun(孙玉润)
;
Zhao, Yongming(赵勇明)
;
Yu, Shuzhen(于淑珍)
;
Dong, Jianrong(董建荣)
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2018/02/05
Microstructural response of InGaN to swift heavy ion irradiation
期刊论文
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2016, 卷号: 388, 页码: 30-34
作者:
Zhang, L. M.
;
Jiang, W.
;
Fadanelli, R. C.
;
Ai, W. S.
;
Peng, J. X.
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2018/05/31
Swift heavy ion irradiation
Microstructure
InGaN
Method for manufacturing semiconductor device and the semiconductor device
专利
专利号: US9373939, 申请日期: 2016-06-21, 公开日期: 2016-06-21
作者:
MORI, HIROKI
;
TANAHASHI, TOSHIYUKI
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提交时间:2019/12/24
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