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| 一种共享型VCSEL与HBT集成结构 专利
专利号: CN208767611U, 申请日期: 2019-04-19, 公开日期: 2019-04-19
作者: 王智勇; 周广正; 李颖; 兰天
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| 一种共享型VCSEL与HBT集成结构和制作方法 专利
专利号: CN108808445A, 申请日期: 2018-11-13, 公开日期: 2018-11-13
作者: 王智勇; 周广正; 李颖; 兰天
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| 一种GaAs基HBT垂直腔面发射激光器 专利
专利号: CN104752952B, 申请日期: 2018-05-08, 公开日期: 2018-05-08
作者: 王智勇; 高鹏坤; 王青; 郑建华
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| 一种无铝高功率半导体激光泵浦器件结构 专利
专利号: CN207165917U, 申请日期: 2018-03-30, 公开日期: 2018-03-30
作者: 韦欣; 徐建人
收藏 | 浏览/下载：9/0 | 提交时间：2019/12/24 |
| Conversion efficiencies of single-junction III-V solar cells based on InGaP, GaAs, InGaAsP, and InGaAs for laser wireless power transmission 期刊论文
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2018
作者: Jomen, Ryota; Uchida, Shiro; Lu, Shulong(陆书龙) ; Dai, Pan(代盼); Maenaka, Hiroyasu
收藏 | 浏览/下载：19/0 | 提交时间：2019/03/27 |
| High Performance InGaAs MOSFETs with an InGaP interface Control Layer and ALD-AL2O3 Gate Oxide for RF Switch Applications 会议论文
作者: Sun B(孙兵); Xia QZ(夏庆贞); Huang KL(黄凯亮); Chang HD(常虎东); Wang SK(王盛凯)
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| Positive Bias Temperature Instability Degradation of Buried InGaAs ChannelnMOSFETs with InGaP Barrier Layer and Al2O3 Dielectric 期刊论文
Chin. Phys. Lett., 2017
作者: Liu HG(刘洪刚); Wang SK(王盛凯); Ma L(马磊); Chang HD(常虎东); Sun B(孙兵)
收藏 | 浏览/下载：13/0 | 提交时间：2018/05/15 |
| 一种波长为650nm的分布反馈半导体激光器的制作方法 专利
专利号: CN106340806A, 申请日期: 2017-01-18, 公开日期: 2017-01-18
作者: 酉艳宁
收藏 | 浏览/下载：5/0 | 提交时间：2019/12/31 |
| Growth and optical properties of In_xGa_(1-x)P nanowires synthesized by selective-area epitaxy 期刊论文
Nano Research, 2017, 卷号: 10, 期号: 2, 页码: 672-682
作者: Berg, Alexander*; Caroff, Philippe*; Shahid, Naeem; Lockrey, Mark N.; Yuan, Xiaoming
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| Positive bias temperature instability degradation of buried InGaAsChannel n-MOSFETs with InGaP barrier layer and Al2O3 dielectric 会议论文
作者: Wang SK(王盛凯); Chang HD(常虎东); Sun B(孙兵)
收藏 | 浏览/下载：5/0 | 提交时间：2017/05/18 |
