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| The Optical Properties of Dual-Wavelength InxGa1−xN/GaN Nanorods for Wide-Spectrum Light-Emitting Diodes 期刊论文 JOURNAL OF ELECTRONIC PACKAGING, 2020, 卷号: 142, 期号: 3, 页码: 031104 作者: Jie Zhao ; Xuecheng Wei ; Dongdong Liang ; Qiang Hu ; Jianchang Yan ; Junxi Wang ; Tongbo Wei 收藏  |  浏览/下载:20/0  |  提交时间:2021/05/25 |
| 一种基于蓝光InGaN量子阱的绿光发射激光器 专利 专利号: CN108521075A, 申请日期: 2018-09-11, 公开日期: 2018-09-11 作者: 张保平; 许荣彬; 梅洋; 徐欢; 应磊莹 收藏  |  浏览/下载:4/0  |  提交时间:2020/01/18 |
| 发光元件 专利 专利号: CN107615602A, 申请日期: 2018-01-19, 公开日期: 2018-01-19 作者: 高山彻 收藏  |  浏览/下载:14/0  |  提交时间:2020/01/18 |
| GaN基金属‑超薄氧化物‑半导体的复合结构纳米激光器及其制备方法 专利 专利号: CN106785913A, 申请日期: 2017-05-31, 公开日期: 2017-05-31 作者: 刘斌; 陶涛; 智婷; 张荣; 谢自力 收藏  |  浏览/下载:0/0  |  提交时间:2020/01/18 |
| InGaN/GaN量子阱激光器及其制作方法 专利 专利号: CN106785919A, 申请日期: 2017-05-31, 公开日期: 2017-05-31 作者: 田爱琴; 刘建平; 张书明; 李德尧; 张立群 收藏  |  浏览/下载:0/0  |  提交时间:2020/01/18 |
| 一种制备GaN基激光器的方法以及一种GaN基激光器 专利 专利号: CN104319631B, 申请日期: 2017-04-26, 公开日期: 2017-04-26 作者: 贾传宇; 张国义; 童玉珍 收藏  |  浏览/下载:9/0  |  提交时间:2019/12/26 |
| Group III nitride compound semiconductor light-emitting device 专利 专利号: US6861663, 申请日期: 2005-03-01, 公开日期: 2005-03-01 作者: SAWAZAKI, KATSUHISA; ASAI, MAKOTO; KANEYAMA, NAOKI 收藏  |  浏览/下载:11/0  |  提交时间:2019/12/26 |