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The Optical Properties of Dual-Wavelength InxGa1−xN/GaN Nanorods for Wide-Spectrum Light-Emitting Diodes 期刊论文
JOURNAL OF ELECTRONIC PACKAGING, 2020, 卷号: 142, 期号: 3, 页码: 031104
作者:  Jie Zhao ;   Xuecheng Wei ;   Dongdong Liang ;   Qiang Hu ;   Jianchang Yan ;   Junxi Wang ;   Tongbo Wei
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一种基于蓝光InGaN量子阱的绿光发射激光器 专利
专利号: CN108521075A, 申请日期: 2018-09-11, 公开日期: 2018-09-11
作者:  张保平;  许荣彬;  梅洋;  徐欢;  应磊莹
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发光元件 专利
专利号: CN107615602A, 申请日期: 2018-01-19, 公开日期: 2018-01-19
作者:  高山彻
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GaN基金属‑超薄氧化物‑半导体的复合结构纳米激光器及其制备方法 专利
专利号: CN106785913A, 申请日期: 2017-05-31, 公开日期: 2017-05-31
作者:  刘斌;  陶涛;  智婷;  张荣;  谢自力
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InGaN/GaN量子阱激光器及其制作方法 专利
专利号: CN106785919A, 申请日期: 2017-05-31, 公开日期: 2017-05-31
作者:  田爱琴;  刘建平;  张书明;  李德尧;  张立群
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一种制备GaN基激光器的方法以及一种GaN基激光器 专利
专利号: CN104319631B, 申请日期: 2017-04-26, 公开日期: 2017-04-26
作者:  贾传宇;  张国义;  童玉珍
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Group III nitride compound semiconductor light-emitting device 专利
专利号: US6861663, 申请日期: 2005-03-01, 公开日期: 2005-03-01
作者:  SAWAZAKI, KATSUHISA;  ASAI, MAKOTO;  KANEYAMA, NAOKI
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