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| A comparative study of front- and back-illuminated planar InGaAs/InP avalanche photodiodes 期刊论文
Materials Letters, 2022, 卷号: 308, 期号: 4
作者: Y. R. Chen; Z. W. Zhang; G. Q. Miao; H. Jiang and H. Song
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| Optimized Selective-Area p-Type Diffusion for the Back-Illuminated Planar InGaAs/InP Avalanche Photodiodes by a Single Diffusion Process 期刊论文
Physica Status Solidi a-Applications and Materials Science, 2022, 卷号: 219, 期号: 2, 页码: 6
作者: Y. R. Chen; Z. W. Zhang; G. Q. Miao; H. Jiang and H. Song
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| 磷化铟高电子迁移率晶体管外延结构材料抗电子辐照加固设计 期刊论文
物理学报, 2022, 卷号: 71, 期号: 3, 页码: 290-297
作者: 周书星1; 方仁凤1; 魏彦锋1; 陈传亮1; 曹文彧1
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| 64×64 InGaAs InP单光子探测雪崩焦平面阵列芯片的研究 学位论文
中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2021
作者: 王帅
收藏 | 浏览/下载：14/0 | 提交时间：2021/11/26 |
| Temporal filtering characteristics of gated InGaAs/InP single-photon detectors for coincidence measurement 期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2021, 卷号: 70, 期号: 7, 页码: 9
作者: Jin Ya-Qing; Dong Rui-Fang; Quan Run-Ai; Xiang Xiao; Liu Tao
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| 一种高速掩埋DFB半导体激光器及其制备方法 专利
专利号: CN110098562A, 申请日期: 2019-08-06, 公开日期: 2019-08-06
作者: 薛贤铨
收藏 | 浏览/下载：27/0 | 提交时间：2019/12/30 |
| 一种DFB半导体激光器芯片 专利
专利号: CN110086085A, 申请日期: 2019-08-02, 公开日期: 2019-08-02
作者: 薛正群; 吴林福生; 杨重英; 陆绿; 苏辉
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| 基于随机分布布拉格反射光栅的InP基单片集成混沌半导体激光器芯片 专利
专利号: CN107809059B, 申请日期: 2019-07-02, 公开日期: 2019-07-02
作者: 张明江; 王安帮; 牛亚楠; 张建忠; 赵彤
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| 一种波导优化的掩埋异质结量子级联激光器 专利
专利号: CN106451074B, 申请日期: 2019-05-17, 公开日期: 2019-05-17
作者: 王东博; 刘舒曼; 贾志伟; 刘峰奇; 王占国
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| 一种波导优化的掩埋异质结量子级联激光器 专利
专利号: CN106451074B, 申请日期: 2019-05-17, 公开日期: 2019-05-17
作者: 王东博; 刘舒曼; 贾志伟; 刘峰奇; 王占国
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