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Principles of Selective Area Epitaxy and Applications in III-V Semiconductor Lasers Using MOCVD: A Review 期刊论文
Crystals, 2022, 卷号: 12, 期号: 7, 页码: 28
作者:  B. Wang;  Y. G. Zeng;  Y. Song;  Y. Wang;  L. Liang
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Gate-Tunable and Programmable n-InGaAs/Black Phosphorus Heterojunction Diodes 期刊论文
ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2019, 卷号: 11, 期号: 26, 页码: 23382-23391
作者:  Lee, Youngsu;  Um, Doo-Seung;  Lim, Seongdong;  Lee, Hochan;  Kim, Minsoo P.
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Interface chemistry and surface morphology evolution study for InAs/Al2O3 stacks upon in situ ultrahigh vacuum annealing 期刊论文
APPLIED SURFACE SCIENCE, 2018, 卷号: 443, 页码: 567-574
作者:  Cho, Kyeongjae;  Wang, Xinglu;  Qin, Xiaoye;  Wang, Wen;  Liu, Yue
收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2019/06/20
Interface chemistry and surface morphology evolution study for inas/al2o3 stacks upon in situ ultrahigh vacuum annealing 期刊论文
Applied surface science, 2018, 卷号: 443, 页码: 567-574
作者:  Wang, Xinglu;  Qin, Xiaoye;  Wang, Wen;  Liu, Yue;  Shi, Xiaoran
收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2019/04/23
Interface chemistry and surface morphology evolution study for InAs/Al2O3 stacks upon in situ ultrahigh vacuum annealing 期刊论文
APPLIED SURFACE SCIENCE, 2018, 卷号: 443, 页码: 567-574
作者:  Zhao JL(赵佳丽);  Wang JO(王嘉鸥);  Wang, XL;  Qin, XY;  Wang, W
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Semiconductor device and fabrication method 专利
专利号: US9793686, 申请日期: 2017-10-17, 公开日期: 2017-10-17
作者:  LIU, HUIYUN;  LEE, ANDREW DAVID;  SEEDS, ALWYN JOHN
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Hybrid integrated MCM with waveguide-fiber connector 专利
专利号: US9698564, 申请日期: 2017-07-04, 公开日期: 2017-07-04
作者:  SHUBIN, IVAN;  ZHENG, XUEZHE;  LEE, JIN-HYOUNG;  KRISHNAMOORTHY, ASHOK V.
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Controllable III-V nanowire growth via catalyst epitaxy 期刊论文
JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY C, 2017, 卷号: 5, 期号: 18, 页码: 4393-4399
作者:  Han, Ning;  Wang, Ying;  Yang, Zai-xing;  Yip, SenPo;  Wang, Zhou
收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2017/07/10
Self-assembled vertically aligned multi-chip module 专利
专利号: US9519105, 申请日期: 2016-12-13, 公开日期: 2016-12-13
作者:  SHUBIN, IVAN;  ZHENG, XUEZHE;  LEE, JIN HYOUNG;  RAJ, KANNAN;  KRISHNAMOORTHY, ASHOK V.
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Method of fabricating a superlattice structure 专利
专利号: US9324900, 申请日期: 2016-04-26, 公开日期: 2016-04-26
作者:  EVANS, ALLAN;  TENNANT, WILLIAM;  HOOD, ANDREW
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