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Band engineering of valleytronics WSe
2
-MoS
2
heterostructures via stacking form, magnetic moment and thickness
期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2023, 卷号: 32
作者:
Wu, Yanwei
;
Zhang, Zongyuan
;
Ma, Liang
;
Liu, Tao
;
Hao, Ning
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2023/11/10
valleytronics
thickness
stacking
magnetic moment
Enhanced superconductivity and electron correlations in intercalated ZrTe3
期刊论文
PHYSICAL REVIEW B, 2022, 卷号: 106
作者:
Liu, Yu
;
Tong, Xiao
;
Ivanovski, V. N.
;
Hu, Zhixiang
;
Leshchev, Denis
收藏
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2022/12/23
The controllable electronic characteristics and Schottky barrier of graphene/GaP heterostructure via interlayer coupling and in-plane strain
期刊论文
Materials Science and Engineering B: Solid-State Materials for Advanced Technology, 2022, 卷号: 284
作者:
Lu, Xuefeng
;
Li, Lingxia
;
Guo, Xin
;
Ren, Junqiang
;
Xue, Hongtao
收藏
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2022/08/09
Binding energy
Calculations
Gallium compounds
Graphene
Ground state
Heterojunctions
III-V semiconductors
Ohmic contacts
Schottky barrier diodes
Strain
Thermoelectric equipment
Van der Waals forces
Electronic characteristics
Graphene/GaP
In-plane strains
Interlayer coupling
Layer-spacing
Micro/nano
Nanoelectronic devices
P-type
Schottky barriers
Schottky contacts
Constructing CdSe QDs modified porous g-C3N4 heterostructures for visible light photocatalytic hydrogen production
期刊论文
JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE & TECHNOLOGY, 2021, 卷号: 95, 页码: 167-171
作者:
Zhang, Zheng
;
Kang, Yuyang
;
Yin, Li-Chang
;
Niu, Ping
;
Zhen, Chao
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2022/07/01
CdSe QDs
Heterostructure
Photocatalytic water splitting
Effects of vertical strain and electric field on the electronic properties and interface contact of graphene/InP vdW heterostructure
期刊论文
COMPUTATIONAL MATERIALS SCIENCE, 2021, 卷号: 198
作者:
Lu, Xuefeng
;
Li, Lingxia
;
Guo, Xin
;
Ren, Junqiang
;
Xue, Hongtao
收藏
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2021/10/14
Graphene
InP
Heterostructure
Vertical strain
Electric field
Schottky barrier
Structural and compositional analysis of (InGa) (AsSb)/GaAs/GaP Stranski-Krastanov quantum dots
期刊论文
Light-Science & Applications, 2021, 卷号: 10, 期号: 1, 页码: 13
作者:
R. S. R. Gajjela
;
A. L. Hendriks
;
J. O. Douglas
;
E. M. Sala
;
P. Steindl
收藏
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2022/06/13
Tailoring electronic properties of two-dimensional antimonene with isoelectronic counterparts*
期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2020, 卷号: 29, 期号: 3, 页码: 9
作者:
Zhang, Ye
;
Guo, Huai-Hong
;
Dong, Bao-Juan
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2021/02/02
tailoring electronic properties
two-dimensional antimonene
isoelectronic counterparts
Tailoring electronic properties of two-dimensional antimonene with isoelectronic counterparts
期刊论文
中国物理B:英文版, 2020, 卷号: 29.0, 期号: 003, 页码: 41-49
作者:
Zhang Y(张也)
;
Guo HH(郭怀红)
;
Dong BJ(董宝娟)
;
Zhu Z(朱震)
;
Yang T(杨腾)
收藏
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2021/02/02
tailoring
electronic
properties
two-dimensional
antimonene
isoelectronic
counterparts
Directional massless Dirac fermions in a layered van der Waals material with one-dimensional long-range order
期刊论文
NATURE MATERIALS, 2020, 卷号: 19, 期号: 1, 页码: 27-
作者:
Yang, TY
;
Wan, Q
;
Yan, DY
;
Zhu, Z
;
Wang, ZW
收藏
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2021/09/06
ELECTRONIC BAND-STRUCTURE
MONOLAYER
SUPERCONDUCTIVITY
FERROMAGNETISM
CONDUCTION
DISCOVERY
Effects of dielectric screening on the excitonic and critical points properties of WS2/MoS2 heterostructures
期刊论文
Nanoscale, 2020, 卷号: 12, 期号: 46, 页码: 23732-23739
作者:
X. D. Zhu,J. B. He,R. J. Zhang,C. X. Cong,Y. X. Zheng,H. Zhang,S. W. Zhang and L. Y. Chen
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2021/07/06
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