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A study on repeatable and universal growth morphology optimization for nanowires grown on Si substrates
期刊论文
Vacuum, 2022, 卷号: 201
作者:
Wang, Xiaoye
;
Bai, Xue
;
Yang, Xiaoguang
;
Du, Wenna
;
Yang, Tao
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2022/06/20
Crystal defects
Gallium alloys
III-V semiconductors
Indium alloys
Metallorganic chemical vapor deposition
Morphology
Nanowires
Semiconducting indium gallium arsenide
Semiconductor alloys
Silicon
Substrates
Growth morphology
High-temperature annealing
Inas nanowire
Metal-organic chemical vapour depositions
Optimisations
Parasitic island
Parasitics
Si substrates
Substrate surface
Treatment methods
Grating Structure Broadband Absorber Based on Gallium Arsenide and Titanium
期刊论文
COATINGS, 2022, 卷号: 12, 期号: 5
作者:
Zhang, Cai
;
Chen, Yongheng
;
Yang, Hua
;
Wang, Shifa
;
Qin, Feng
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2022/06/21
surface plasmons
metamaterials
grating structure
FDTD method
Interface engineering enhanced near-infrared electroluminescence in an n-ZnO microwire/p-GaAs heterojunction
期刊论文
Optics Express, 2022, 卷号: 30, 期号: 14, 页码: 24773-24787
作者:
J. T. Li
;
B. H. Li
;
M. Meng
;
L. L. Sun and M. M. Jiang
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2023/06/14
1 meV electron irradiation and post-annealing effects of GaInAsN diluted nitride alloy with 1 eV bandgap energy
期刊论文
THIN SOLID FILMS, 2020, 卷号: 709, 期号: 9, 页码: 1-5
作者:
Sailai, M (Sailai, Momin)[ 1 ]
;
Lei, QQ (Lei, Qi Qi)[ 1,2 ]
;
Aierken, A (Aierken, Abuduwayiti)[ 1,3 ]
;
Heini, M (Heini, Maliya)[ 1,4 ]
;
Zhao, XF (Zhao, Xiao Fan)[ 1 ]
收藏
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浏览/下载:28/0
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提交时间:2020/10/23
Gallium indium arsenide nitride alloy
Electron irradiation
Photoluminescence
Thermal annealing
Arrhenius plot
低温生长铝镓砷光折变效应的研究
期刊论文
物理学报, 2019, 卷号: 68, 期号: 16
作者:
钟梓源
;
何凯
;
苑云
;
汪韬
;
高贵龙
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浏览/下载:59/0
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提交时间:2019/09/24
光折变
铝镓砷
泵浦-探测
载流子寿命
Stabilization of GaAs photoanodes by in situ deposition of nickel-borate surface catalysts as hole trapping sites
期刊论文
SUSTAINABLE ENERGY & FUELS, 2019, 卷号: 3, 期号: 3, 页码: 814-822
作者:
Jiang, Chaoran
;
Wu, Jiang
;
Moniz, Savio J. A.
;
Guo, Daqian
;
Tang, Mingchu
收藏
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浏览/下载:55/0
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提交时间:2019/06/20
Negative longitudinal magnetoresistance in gallium arsenide quantum wells
期刊论文
NATURE COMMUNICATIONS, 2019, 卷号: Vol.10
作者:
Xu, Jing
;
Ma, Meng K.
;
Sultanov, Maksim
;
Xiao, Zhi-Li
;
Wang, Yong-Lei
收藏
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2019/12/17
Negative longitudinal magnetoresistance in gallium arsenide quantum wells
期刊论文
Nature Communications, 2019, 卷号: Vol.10
作者:
Jing Xu
;
Meng K. Ma
;
Maksim Sultanov
;
Zhi-Li Xiao
;
Yong-Lei Wang
收藏
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2019/12/13
Negative longitudinal magnetoresistance in gallium arsenide quantum wells.
期刊论文
Nature communications, 2019, 卷号: Vol.10 No.1, 页码: 287
作者:
Jing Xu
;
Meng K Ma
;
Maksim Sultanov
;
Zhi-Li Xiao
;
Yong-Lei Wang
收藏
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2019/12/13
Research on Time Jitter of GaAs Photoconductive Semiconductor Switches in the Negative Differential Mobility Region
期刊论文
2019, 卷号: 40, 页码: 291-294
作者:
Zhang, Lin
;
Shi, Wei
;
Cao, Juncheng
;
Wang, Shaoqiang
;
Dong, Chengang
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2019/12/20
Time jitter
gallium arsenide (GaAs)
photoconductive semiconductor switches
negative differential mobility (NDM)
inter-valley transition of carriers
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