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Effect of CoSi2 buffer layer on structure and magnetic properties of Co films grown on Si (001) substrate
期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2015, 卷号: 24
作者:
Hu Bo
;
He Wei
;
Ye Jun
;
Tang Jin
;
Ahmad, Syed Sheraz
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2019/12/30
magnetic anisotropy
CoSi2 buffer layers
four-fold symmetry
Schottky barrier MOSFET structure with silicide source/drain on buried metal
期刊论文
中国物理英文版, 2007
Li Ding-Yu
;
Sun Lei
;
Zhang Sheng-Dong
;
Wang Yi
;
Liu Xiao-Yan
;
Han Ru-Qi
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2015/11/16
Schottky barrier MOSFET
Schottky barrier
barrier height
silicide source/drain
FIELD-EFFECT TRANSISTORS
GERMANIDE
GATE
FABRICATION
THICKNESS
CONTACTS
IMPACT
SOI
S/D
Comparison of the properties of gan grown on complex si-based structures
期刊论文
Applied physics letters, 2005, 卷号: 86, 期号: 8, 页码: 3
作者:
Zhou, SQ
;
Vantomme, A
;
Zhang, BS
;
Yang, H
;
Wu, MF
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2019/05/12
Comparison of the properties of GaN grown on complex Si-based structures
期刊论文
applied physics letters, 2005, 卷号: 86, 期号: 8, 页码: art.no.081912
Zhou, SQ
;
Vantomme, A
;
Zhang, BS
;
Yang, H
;
Wu, MF
收藏
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浏览/下载:30/0
  |  
提交时间:2010/03/17
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
Properties of ion implanted epitaxial CoSi2/Si(100) after rapid thermal oxidation
其他
2000-01-01
Zhao, QT
;
Kluth, P
;
Xu, J
;
Kappius, L
;
Zastrow, U
;
Wang, ZL
;
Mantl, S
收藏
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2015/11/12
silicide
ion implantation
oxidation
Schottky diode
LOCAL OXIDATION
COSI2 LAYER
DIFFUSION
SILICIDES
JUNCTIONS
SI
Properties of ion implanted epitaxial CoSi2/Si(1 0 0) after rapid thermal oxidation
期刊论文
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms, 2000
Zhao, Q.T.
;
Kluth, P.
;
Xu, J.
;
Kappius, L.
;
Zastrow, U.
;
Wang, Z.L.
;
Mantl, S.
收藏
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2017/12/03
Structural study of ysi1.7 layers formed by channeled ion beam synthesis
期刊论文
Journal of vacuum science & technology b, 1998, 卷号: 16, 期号: 4, 页码: 1901-1906
作者:
Wu, MF
;
Yao, SD
;
Vantomme, A
;
Hogg, S
;
Pattyn, H
收藏
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2019/05/12
Electrical properties of CoSi2 precipitates in cobalt-implanted silicon: a conducting atomic force microscopy study
期刊论文
JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE LETTERS, 1998, 卷号: 17, 期号: 3, 页码: 219
Mao, JM
;
Xu, JB
;
Peng, QC
;
Wong, SP
;
Wilson, IH
收藏
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2013/09/17
LAYERS
Spectroellipsometric study of optical and electrical properties of buried CoSi2, layers in silicon produced by MEVVA implantation
期刊论文
PROCEEDINGS OF THE SOCIETY OF PHOTO-OPTICAL INSTRUMENTATION ENGINEERS (SPIE), 1998, 卷号: Vol.3558, 页码: 561-570
作者:
Guo, WS
;
Wong, SP
;
Zhu, ZQ
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浏览/下载:1/0
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提交时间:2019/02/25
spectroscopic ellipsometry
optical property
CoSi2
MEVVA ion source
Structural study of YSi1.7 layers formed by channeled ion beam synthesis
期刊论文
journal of vacuum science & technology b, 1998, 卷号: 16, 期号: 4, 页码: 1901-1906
Wu MF
;
Yao SD
;
Vantomme A
;
Hogg S
;
Pattyn H
;
Langouche G
;
Yang QQ
;
Wang QM
收藏
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浏览/下载:27/0
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提交时间:2010/08/12
YTTRIUM-SILICIDE LAYERS
ERSI1.7 LAYERS
COSI2 LAYERS
THIN-FILMS
IMPLANTATION
SI
DIFFRACTION
STABILITY
KINETICS
SI(111)
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