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Tunable defect engineering in TiON thin films by multi-step sputtering processes: from a Schottky diode to resistive switching memory
期刊论文
JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY C, 2017, 卷号: 5, 期号: 25, 页码: 6319-6327
作者:
Su, Teng-Yu
;
Huang, Chi-Hsin
;
Shih, Yu-Chuan
;
Wang, Tsang-Hsuan
;
Medina, Henry
收藏
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提交时间:2019/11/15
Tunable defect engineering in TiON thin films by multi-step sputtering processes: From a Schottky diode to resistive switching memory
期刊论文
Journal of Materials Chemistry C, 2017, 卷号: 5, 期号: 25, 页码: 6319-6327
作者:
Su, Teng-Yu
;
Huang, Chi-Hsin
;
Shih, Yu-Chuan
;
Wang, Tsang-Hsuan
;
Medina, Henry
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2020/11/14
Defects
Diodes
Rhenium compounds
RRAM
Schottky barrier diodes
Sputtering
Switching
Thin films
Titanium compounds
Conduction Mechanism
Defect distribution
Gradient distributions
Rectifying characteristics
Rectifying properties
Resistive Random Access Memory (ReRAM)
Resistive switching behaviors
Resistive switching memory
原子层沉积HfO2薄膜及其1D1R器件阻变特性研究
学位论文
2016, 2016
陆超
收藏
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浏览/下载:8/0
  |  
提交时间:2017/06/20
阻变存储器
原子层沉积
HfO2
Resistive switching random access memory (RRAM)
Atomic layer deposition (ALD)
HfO2
Thermal effect on endurance performance for 3-dimensional RRAM crossbar array
期刊论文
Chinese Physics B, 2016
作者:
Lu ND(卢年端)
;
Sun PX(孙鹏霄)
;
Liu Q(刘琦)
;
Lv HB(吕杭炳)
;
Long SB(龙世兵)
收藏
  |  
浏览/下载:9/0
  |  
提交时间:2017/05/11
Novel self-compliance Bipolar 1D1R memory device for high-density RRAM application
会议论文
2013 5th IEEE International Memory Workshop, IMW 2013, Monterey, CA, United states, May 26, 2013 - May 29, 2013
作者:
Li, Y.T.
;
Long, S.B.
;
Lv, H.B.
;
Liu, Q.
;
Wang, M.
收藏
  |  
浏览/下载:4/0
  |  
提交时间:2017/01/20
Random access storage
Schottky barrier diodes
Switching systems
1D1R
Combined tio
Non-volatile memory application
Resistive switching
Reverse bias
RRAM
Schottky diodes
TiO
一种用于交叉阵列结构存储器的整流器件
专利
专利号: CN200910083500.5, 申请日期: 2012-09-05, 公开日期: 2010-11-10
作者:
左青云
;
龙世兵
;
刘明
收藏
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2013/11/06
Size Analysis of Multilevel RRAM Array and Optimization of Device and Circuit Characteristics
其他
2012-01-01
Deng, Ye-Xin
;
Huang, Peng
;
Chen, Bing
;
Yang, Xiao-Lin
;
Gao, Bin
;
Liu, Li-Feng
;
Kang, Jin-Feng
;
Liu, Xiao-Yan
收藏
  |  
浏览/下载:3/0
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提交时间:2015/11/13
Rectifying characteristics and implementation of n-Si/HfO2 based devices for 1D1R-based cross-bar memory array
其他
2012-01-01
Zhang, F.F.
;
Huang, P.
;
Chen, B.
;
Yu, D.
;
Fu, Y.H.
;
Ma, L.
;
Gao, B.
;
Liu, L.F.
;
Liu, X.Y.
;
Kang, J.F.
收藏
  |  
浏览/下载:4/0
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提交时间:2015/11/13
一种高速高密度三维电阻变换存储结构的制备方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101924069A, 申请日期: 2010-12-22, 公开日期: 2010-12-22
马小波
;
张挺
;
刘卫丽
;
宋志棠
;
刘旭焱
;
杜小锋
收藏
  |  
浏览/下载:11/0
  |  
提交时间:2012/01/06
Identification and application of current compliance failure phenomenon in RRAM device
其他
2010-01-01
Gao, B.
;
Chang, W.Y.
;
Sun, B.
;
Zhang, H.W.
;
Liu, L.F.
;
Liu, X.Y.
;
Han, R.Q.
;
Wu, T.B.
;
Kang, J.F.
收藏
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浏览/下载:3/0
  |  
提交时间:2015/11/13
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