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| 纳米非极性面GaN锥形阵列材料 专利
专利号: CN203205451U, 申请日期: 2013-09-18, 公开日期: 2013-09-18
作者: 王新中; 唐飞; 李世国; 张宗平; 何国荣
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| 以氧化锌制作发光装置的方法 专利
专利号: CN101330117B, 申请日期: 2012-04-18, 公开日期: 2012-04-18
作者: 周明奇; 吴季珍; 徐文庆
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| 一种非极性GaN薄膜的生长方法 专利
专利号: CN101364631B, 申请日期: 2011-09-14, 公开日期: 2011-09-14
作者: 周健华; 郝茂盛; 颜建锋; 潘尧波; 周圣明
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| 铝酸锂晶体生长及其上宽禁带半导体薄膜制备研究 学位论文
博士: 中国科学院上海光学精密机械研究所, 2007
作者: 邹军
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| 宽禁带半导体衬底材料及ZnO薄膜的制备研究 学位论文
博士: 中国科学院上海光学精密机械研究所, 2006
作者: 刘世良
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| 提拉法生长镓酸锂晶体及缺陷研究 期刊论文
人工晶体学报, 2006, 卷号: 35, 期号: 5, 页码: 988, 991
刘世良; 周圣明; 王银珍; 徐军
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| 气相传输平衡法在（11-20）面蓝宝石上制备γ铝酸锂膜 期刊论文
光学学报, 2006, 卷号: 26, 期号: 5, 页码: 773, 776
刘世良; 周圣明; 李抒智; 王银珍; 徐军
收藏 | 浏览/下载：1206/227 | 提交时间：2009/09/24
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| GaN、ZnO的外延衬底材料和外延膜制备及其缺陷的研究 学位论文
博士: 中国科学院上海光学精密机械研究所, 2003
作者: 杨卫桥
收藏 | 浏览/下载：10/0 | 提交时间：2016/11/28
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| 垂直温梯法生长铝酸锂和镓酸锂晶体 专利
专利类型: 发明, 专利号: ZL97106255.2, 申请日期: 2000-12-15, 公开日期: 2011-07-14, 2011-07-15
邓佩珍; 周永宗
收藏 | 浏览/下载：27/2 | 提交时间：2011/07/14 |
| 镓酸锂（LiGaO_2）单晶超精密抛光技术及机理的研究 学位论文
中国科学院长春光学精密机械研究所: 中国科学院长春光学精密机械研究所, 1998
作者: 谢伦
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