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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 静电感应晶闸管（SITH）的理论分析 期刊论文 半导体技术, 1995, 期号: 5, 页码: 7 作者:  李思渊;  刘瑞喜;  刘肃;  杨建红;  李成 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2015/04/27 静电感应晶闸管:8379  理论分析:3165  泊松方程:2401  边界条件:1681  阳极电压:1626  沟道:1599  电势分布:1570  势垒高度:1275  数值分析:990  SITH:945