静电感应晶闸管（SITH）的理论分析

	静电感应晶闸管（SITH）的理论分析
	李思渊; 刘瑞喜; 刘肃; 杨建红; 李成
刊名	半导体技术
	1995-10-13
期号	5 页码:7
关键词	静电感应晶闸管:8379 理论分析:3165 泊松方程:2401 边界条件:1681 阳极电压:1626 沟道:1599 电势分布:1570 势垒高度:1275 数值分析:990 SITH:945
其他题名	静电感应晶闸管（SITH）的理论分析（续）
中文摘要	静电感应晶闸管（ＳＩＴＨ）的理论分析（续）兰州大学（兰州７３０００１）李思渊，刘瑞喜，刘肃，杨建红，李成３沟道电势的解析理论３．１　模型ＳＩＴＨ的开通与关断，从根本上说来决定于沟道势垒的存在及其随偏压的变化。因此，对沟道势垒的分析成为研究问题的核心。...
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://202.201.7.4:8080/handle/262010/102098]
专题	物理科学与技术学院_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	李思渊,刘瑞喜,刘肃,等. 静电感应晶闸管（SITH）的理论分析[J]. 半导体技术,1995(5):7.
APA	李思渊,刘瑞喜,刘肃,杨建红,&李成.(1995).静电感应晶闸管（SITH）的理论分析.半导体技术(5),7.
MLA	李思渊,et al."静电感应晶闸管（SITH）的理论分析".半导体技术 .5(1995):7.