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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 反应溅射生长的a-Si:H_a-Ge:H超晶格光学性质研究 期刊论文 半导体学报/Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors, 1991, 卷号: 12, 期号: 12, 页码: 755-758 作者:  王印月;  许怀哲;  张仿清;  陈光华 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2015/04/27 超晶格:7755  射频反应溅射法:4027  光学性质:3832  a-Si:H:2339  超晶格结构:912  量子尺寸效应:806  光学带隙:788  结构特性:745  半导体超晶格:671  X射线:603