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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 内容类型：会议     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 A Surface Potential Based Quasi-Ballistic Double Gate MOSFET Model (CPCI-S收录) 会议 作者:  Huang, Jin[1,2];  Zhang, Ganggang[2];  Liu, Xiaoyan[2];  Du, Gang[2] 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/04/11 MOSFET model  Quasi-Ballistic Transport  Double-Gate Model   Structural Design, Layout Analysis and Routing Strategy for Constructing IC Standard Cells Using Emerging 3D Vertical MOSFETs (CPCI-S收录) 会议 作者:  Liu, Hongyi[1];  Hong, Chuyang[1];  Han, Ting[1];  Zhou, Jun[1];  Chen, Yijian[1] 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/04/11 standard cell layout  vertical gate-all-around (GAA) nanowire MOSFET  double-surrounding-gate (DSG) MOSFET  routing  self-aligned multiple patterning   Using SiC MOSFETs to improve reliability of EV inverters (CPCI-S收录EI收录) 会议 Blacksburg, VA, United states, 作者:  Zheng, Hao[1];  Wang, Xubin[1];  Wang, Xuemei[1];  Ran, Li[2];  Zhang, Bo[1] 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/04/11 Electric inverters  Energy gap  Insulated gate bipolar transistors (IGBT)  MOSFET devices  Permanent magnets  Semiconductor devices  Semiconductor junctions  Silicon carbide  Synchronous motors