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浏览/检索结果: 共23条，第1-10条 帮助 限定条件 发表日期：2019     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 A Single Gate Driver Based Solid-State Circuit Breaker Using Series Connected SiC MOSFETs 期刊论文 IEEE Transactions on Power Electronics, 2019, 卷号: 34, 页码: 2002-2006 作者:  Ren, Yu;  Yang, Xu;  Zhang, Fan;  Wang, Fei;  Tolbert, Leon M. 收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2019/11/19 Gate drivers  Integrated circuit reliability  MOS-FET  Series connections  SiC MOSFET  Solid State Circuit Breaker  Voltage balancing  Wide band gap devices   基于任务剖面的光伏逆变器综合寿命预测 期刊论文 太阳能学报, 2019, 期号: 10 作者:  刘悦遐;  黄萌;  刘懿;  查晓明 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2019/12/05 光伏逆变器  寿命预测  二重傅里叶级数  功率MOSFET  电解电容   Prediction of Stable and High-Performance Charge Transport in Zigzag Tellurene Nanoribbons 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2019, 卷号: 66, 期号: 5 作者:  Lv, Yawei;  Liu, Yuan;  Qin, Wenjing;  Chang, Sheng;  Jiang, Changzhong 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/12/05 Current density  edge saturation  first principles  MOSFET  tellurene nanoribbon (TNR)   Online junction temperature estimation method for SiC modules with built-in NTC sensor 期刊论文 CPSS Transactions on Power Electronics and Applications, 2019, 卷号: Vol.4 No.1, 页码: 94-99 作者:  Ping Liu;  Changle Chen;  Xing Zhang;  Shoudao Huang 收藏  |  浏览/下载：101/0  |  提交时间：2019/12/13 Silicon carbide  Junctions  MOSFET  Temperature sensors  Impedance  Heating systems  Mathematical model  Boundary conditions  junction temperature  silicon carbide (SiC)  thermal model.   Carrier-Based Double Integral Sliding-Mode Controller of Class-D Amplifier 期刊论文 IEEE Access, 2019, 卷号: Vol.7, 页码: 1275-1283 作者:  Xiaohua Wu;  Haider Zaman;  Xiancheng Zheng;  Shahbaz Khan;  Husan Ali 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/12/13 Mathematical  model  Frequency  response  Q-factor  Control  systems  Switching  frequency  Silicon  carbide  Voltage  control  Carrier-based  double  integral  sliding-mode  (CBDISM)  class-D  amplifier  Q-factor  SiC  MOSFET   High mobility Ge pMOSFETs with amorphous Si passivation: impact of surface orientation 期刊论文 NANOSCALE RESEARCH LETTERS, 2019, 卷号: Vol.14 作者:  Liu, Huan;  Han, Genquan;  Liu, Yan;  Tang, Xiaosheng;  Yang, Jingchen 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/13 Germanium  MOSFET  Amorphous Si passivation  Mobility  Surface orientation   Short-Circuit Ruggedness and Failure Mechanisms of Si/SiC Hybrid Switch 期刊论文 IEEE Transactions on Power Electronics, 2019, 卷号: Vol.34 No.3, 页码: 2771-2780 作者:  Jun Wang;  Xi Jiang;  Zongjian Li;  Z. John Shen 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/13 MOSFET  Silicon carbide  Logic gates  Insulated gate bipolar transistors  Switches  Leakage currents  Silicon  Failure analysis  gate control  hybrid switch (HyS)  IGBT  short-circuit (SC)  Silicon Carbide (SiC) $\scriptscriptstyle{\text{MOSFET}}$   Prediction of Stable and High-Performance Charge Transport in Zigzag Tellurene Nanoribbons 期刊论文 IEEE Transactions on Electron Devices, 2019, 卷号: Vol.66 No.5, 页码: 2365-2369 作者:  Yawei Lv;  Yuan Liu;  Wenjing Qin;  Sheng Chang;  Changzhong Jiang 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/12/13 Bonding  Transistors  Nanoribbons  Photonic band gap  Physics  Graphene  Discrete Fourier transforms  Current density  edge saturation  first principles  MOSFET  tellurene nanoribbon (TNR)   Prediction of Stable and High-Performance Charge Transport in Zigzag Tellurene Nanoribbons. 期刊论文 IEEE Transactions on Electron Devices, 2019, 卷号: Vol.66 No.5, 页码: 2365-2369 作者:  Lv, YW;  Liu, Y;  Qin, WJ;  Chang, S;  Jiang, CZ 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/12/17 Current density  edge saturation  first principles  MOSFET  tellurene nanoribbon (TNR)   Single-magnetic equaliser without any sensors for series-connected battery strings 期刊论文 IET POWER ELECTRONICS, 2019, 卷号: Vol.12 No.9, 页码: 2312-2320 作者:  Liu, FL;  Zou, RM;  Su, M;  Sun, Y;  Liu, YL 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/17 secondary cells  transformer windings  MOSFET  single-magnetic equaliser  series-connected battery strings  battery voltages  adjacent cells  complementary control signals  circuit topology  operating principles  voltage balance analysis  lithium-ion cells  automatic cell-to-cell equaliser  MOSFET  transformer winding