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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 发表日期：2018     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Room-Temperature and Aqueous Solution-Processed Two-Dimensional TiS2 as an Electron Transport Layer for Highly Efficient and Stable Planar n-i-p Perovskite Solar Cells 期刊论文 ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2018, 卷号: 10, 期号: 17, 页码: 14796-14802 作者:  Huang, Peng;  Yuan, Ligang;  Zhang, Kaicheng;  Chen, Qiaoyun;  Zhou, Yi 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2019/04/09 Planar N-i-p Perovskite Solar Cells  Uvo-treated 2d Tis2  Electron Transport Layer  Room-temperature And Aqueous Solution Processed   A diode based on a chemically-doped SWCNT 期刊论文 NEW CARBON MATERIALS, 2018, 卷号: 33, 期号: 5, 页码: 476-480 作者:  Song Chuan-juan;  Yang Jun-ru;  Liao Cheng-hao;  Liu Xiao-dong;  Wang Ying 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/12/11 SWCNT  p-i-n junction diode  Locally chemical doping  Rectification  characteristic   The Influence of n-AlGaN Inserted Layer on the Performance of Back-Illuminated AlGaN-Based p-i-n Ultraviolet Photodetectors 期刊论文 Physica Status Solidi a-Applications and Materials Science, 2018, 卷号: 215, 期号: 2, 页码: 5 作者:  Chen, Y. R.;  Zhang, Z. W.;  Li, Z. M.;  Jiang, H.;  Miao, G. Q. 收藏  |  浏览/下载：0/0  |  提交时间：2019/09/17 AlGaN  inserted layers  p-i-n structures  ultraviolet photodetectors  suppression  diodes  Materials Science  Physics   High performance back-illuminated MIS structure AlGaN solar-blind ultraviolet photodiodes 期刊论文 Journal of Materials Science-Materials in Electronics, 2018, 卷号: 29, 期号: 11, 页码: 9077-9082 作者:  Han, W. Y.;  Zhang, Z. W.;  Li, Z. M.;  Chen, Y. R.;  Song, H. 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/09/17 p-i-n  photodetectors  template  films  Engineering  Materials Science  Physics